Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:be91bf64-d80a-4989-a5a1-b2ececa9b903" >
Growth and material...
Growth and material properties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy
-
- Pan, W. W. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, P. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wu, X. Y. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Wang, K. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Cui, J. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Yue, L. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, L. Y. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Gong, Q. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2016
- 2016
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Alloys and Compounds. - : Elsevier BV. - 0925-8388. ; 656, s. 777-783
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The effects of Bi, In flux and PH3 pressure on Bi incorporation, structural and transport properties of InPBi grown by gas source molecular beam epitaxy have been systematically studied. Incorporation of Bi behaves like a dopant and its content increases linearly with Bi flux and inversely with the InP growth rate (In flux), and is independent of the PH3 pressure studied. High PH3 pressure causes rough surface and introduction of Bi improves surface quality. Intrinsic InP grown at a low temperature reveals n-type due to the P-ln antisite defects and the electron density is proportional to the PH3 pressure and inversely proportional to the InP growth rate. Incorporation of Bi induces p-type dopant that compensates the background electron concentration but doesn't degrade the electron mobility for the Bi content up to 2.4%. These results suggest that there is still a large room left to optimize material quality and maximize Bi incorporation in InPBi using gas source molecular beam epitaxy.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Telekommunikation (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Telecommunications (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies (hsv//eng)
Nyckelord
- Dilute bismides
- Flux ratios
- Growth rate
- Molecular beam epitaxy
- InPBi
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Pan, W. W.
-
Wang, P.
-
Wu, X. Y.
-
Wang, K.
-
Cui, J.
-
Yue, L.
-
visa fler...
-
Zhang, L. Y.
-
Gong, Q.
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Telekommunikatio ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Annan teknik
- Artiklar i publikationen
-
Journal of Alloy ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola