Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:c7f6e0a7-bc4d-4d4e-a418-fab6bec430b5" >
InPBi Single Crysta...
InPBi Single Crystals Grown by Molecular Beam Epitaxy
-
- Wang, K. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Gu, Yi (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhou, H. F. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Zhang, L. Y. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Kang, C. Z. (författare)
- Qufu Normal University
-
Wu, M. J. (författare)
-
- Pan, W. W. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Lu, P. F. (författare)
- Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT)
-
- Gong, Q. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2014-06-26
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: Scientific Reports. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2045-2322 .- 2045-2322. ; 4
- Relaterad länk:
-
http://publications.... (primary) (free)
-
visa fler...
-
https://www.nature.c...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- InPBi was predicted to be the most robust infrared optoelectronic material but also the most difficult to synthesize within In-VBi (V 5 P, As and Sb) 25 years ago. We report the first successful growth of InPBi single crystals with Bi concentration far beyond the doping level by gas source molecular beam epitaxy. The InPBi thin films reveal excellent surface, structural and optical qualities making it a promising new III-V compound family member for heterostructures. The Bi concentration is found to be 2.4 +/- 0.4% with 94 +/- 5% Bi atoms at substitutional sites. Optical absorption indicates a band gap of 1.23 eV at room temperature while photoluminescence shows unexpectedly strong and broad light emission at 1.4-2.7 mmwhich can't be explained by the existing theory.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- GAP
- ALLOYS
- AN PJ
- SOLID STATE COMMUNICATIONS
- BI
- Multidisciplinary Sciences
- EMISSION
- PHOSPHIDE
- V9
- ABSORPTION
- GAASN
- 1971
- BISMUTH
- P1555
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Wang, K.
-
Gu, Yi
-
Zhou, H. F.
-
Zhang, L. Y.
-
Kang, C. Z.
-
Wu, M. J.
-
visa fler...
-
Pan, W. W.
-
Lu, P. F.
-
Gong, Q.
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
-
Scientific Repor ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola