Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:d2bbb7f8-e470-48ae-aa29-b63018a21e28" >
Si-based InGaAs pho...
Si-based InGaAs photodetectors on heterogeneous integrated substrate
-
- Chi, Chaodan (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Lin, Jiajie (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Chen, Xingyou (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa fler...
-
- Wang, Chengli (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Li, Ziping (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Liping (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Fu, Zhanglong (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhao, Xiaomeng (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- LI, HUA (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- You, Tiangui (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Yue, L. (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Zhang, Jiaxiang (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
- Sun, Niefeng (författare)
- China Electronic Technology Group Corporation
-
Gao, Peng (författare)
-
- Kudrawiec, R (författare)
- Politechnika Wrocławska,Wrocław University of Science and Technology
-
- Wang, Shu Min, 1963 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Ou, Xin (författare)
- Chinese Academy of Sciences
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2021-04-29
- 2021
- Engelska.
-
Ingår i: Science China: Physics, Mechanics and Astronomy. - : Springer Science and Business Media LLC. - 1674-7348 .- 1869-1927. ; 64:6
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.1...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this paper, InGaAs p-i-n photodetectors (PDs) on an InP/SiO2/Si (InPOI) substrate fabricated by ion-slicing technology are demonstrated and compared with the identical device on a commercial InP substrate. The quality of epitaxial layers on the InPOI substrate is similar to that on the InP substrate. The photo responsivities of both devices measured at 1.55 µm are comparable, which are about 0.808–0.828 A W−1. Although the dark current of PD on the InPOI substrate is twice as high as that of PD on the InP substrate at 300 K, the peak detectivities of both PDs are comparable. In general, the overall performance of the InPOI-based PD is comparable to the InP-based PD, demonstrating that the ion-slicing technology is a promising route to enable the high-quality Si-based InP platform for the full photonic integration on a Si substrate.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Annan teknik -- Övrig annan teknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Other Engineering and Technologies -- Other Engineering and Technologies not elsewhere specified (hsv//eng)
- MEDICIN OCH HÄLSOVETENSKAP -- Medicinsk bioteknologi -- Biomedicinsk laboratorievetenskap/teknologi (hsv//swe)
- MEDICAL AND HEALTH SCIENCES -- Medical Biotechnology -- Biomedical Laboratory Science/Technology (hsv//eng)
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- InPOI
- molecular beam epitaxy
- 72.80.Ey
- 73.40.Kp
- InGaAs photodetector
- 71.20.Nr
- 72.40.+w
- monolithic integration
- 42.82.−m
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Chi, Chaodan
-
Lin, Jiajie
-
Chen, Xingyou
-
Wang, Chengli
-
Li, Ziping
-
Zhang, Liping
-
visa fler...
-
Fu, Zhanglong
-
Zhao, Xiaomeng
-
LI, HUA
-
You, Tiangui
-
Yue, L.
-
Zhang, Jiaxiang
-
Sun, Niefeng
-
Gao, Peng
-
Kudrawiec, R
-
Wang, Shu Min, 1 ...
-
Ou, Xin
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Annan teknik
-
och Övrig annan tekn ...
-
- MEDICIN OCH HÄLSOVETENSKAP
-
MEDICIN OCH HÄLS ...
-
och Medicinsk biotek ...
-
och Biomedicinsk lab ...
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
Science China: P ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola