Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:da2af7bc-de2c-49d0-bdd8-8460540f7ca2" >
Effect of gate leng...
Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs biased for low power or high gain
-
- Borg, Malin, 1978 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Lefebvre, Eric, 1975 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Malmkvist, Mikael, 1978 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Desplanque, Ludovic (författare)
- IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
-
- Wallart, Xavier (författare)
- IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
-
- Roelens, Yannick (författare)
- IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
-
- Dambrine, Gilles (författare)
- IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
-
- Cappy, Alain (författare)
- IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
-
- Bollaert, Sylvain (författare)
- IEMN Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie
-
- Grahn, Jan, 1962 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier BV, 2008
- 2008
- Engelska.
-
Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101. ; 52:5, s. 775-781
- Relaterad länk:
-
http://dx.doi.org/10...
-
visa fler...
-
https://research.cha...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The effect of gate-length variation on DC and RF performance of InAs/AlSb HEMTs, biased for low DC power consumption or high gain, is reported. Simultaneously fabricated devices, with gate lengths between 225 nm and 335 nm, have been compared. DC measurements revealed higher output conductance gds and slightly increased impact ionization with reduced gate length. When reducing the gate length from 335 nm to 225 nm, the DC power consumption was reduced by approximately 80% at an fT of 120 GHz. Furthermore, a 225 nm gate-length HEMT biased for high gain exhibited an extrinsic fT of 165 GHz and an extrinsic fmax of 115 GHz, at a DC power consumption of 100 mW/mm. When biased for low DC power consumption of 20 mW/mm the same HEMT exhibited an extrinsic fT and fmax of 120 GHz and 110 GHz, respectively.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- gate length
- AlSb
- HEMT
- InAs
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Borg, Malin, 197 ...
-
Lefebvre, Eric, ...
-
Malmkvist, Mikae ...
-
Desplanque, Ludo ...
-
Wallart, Xavier
-
Roelens, Yannick
-
visa fler...
-
Dambrine, Gilles
-
Cappy, Alain
-
Bollaert, Sylvai ...
-
Grahn, Jan, 1962
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Elektroteknik oc ...
-
och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
-
Solid-State Elec ...
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola