SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Johansson Lars Erik) ;pers:(Egard Mikael);pers:(Berg Martin)"

Sökning: WFRF:(Johansson Lars Erik) > Egard Mikael > Berg Martin

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Johansson, Sofia, et al. (författare)
  • High frequency vertical InAs nanowire MOSFETs integrated on Si substrates
  • 2012
  • Ingår i: Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics. - : Wiley. - 1610-1634. ; 9:2, s. 350-353
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • RF and DC characterization of vertical InAs nanowire MOSFET on Si substrates are presented. Nanowire arrays are epitaxially integrated on Si substrates by use of a thin InAs buffer layer. For device fabrication, high-k HfO2 gate dielectric and wrap-gates are used. Post-deposition annealing of the high-k is evaluated by comparing one annealed and one not-annealed sample. The annealed sample show better DC characteristics in terms of transconductance, g(m) = 155 mS/mm, and on-current, I-on = 550 mA/mm. Box plots of on-current, on-resistance and transconductance for all 190-nanowire-array transistors on the annealed sample suggest that the electrical properties of the nanowires are preserved when scaling the nanowire diameter. Finally, high frequency characterisation yields a unity current gain cut-off frequency of f(t) = 9.3 GHz for the annealed sample and f(t) = 2.0 GHz for the not-annealed sample. (C) 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
  •  
2.
  • Johansson, Sofia, et al. (författare)
  • RF Characterization of Vertical InAs Nanowire Wrap-Gate Transistors Integrated on Si Substrates
  • 2011
  • Ingår i: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 0018-9480. ; 59:10, s. 2733-2738
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • We present dc and RF characterization of InAs nanowire field-effect transistors (FETs) heterogeneously integrated on Si substrates in a geometry suitable for circuit applications. The FET consists of an array of 182 vertical InAs nanowires with about 6-nm HfO high-gate dielectric and a wrap-gate length of 250 nm. The transistor has a transconductance of 155 mS/mm and an on-current of 550 mA/mm at a gate voltage of 1.5 V and a drain voltage of 1 V. S-parameter measurements yield an extrinsic cutoff frequency of 9.3 GHz and a extrinsic maximum oscillation frequency of 14.3 GHz.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2
Typ av publikation
tidskriftsartikel (2)
Typ av innehåll
refereegranskat (2)
Författare/redaktör
Wernersson, Lars-Eri ... (2)
Johansson, Sofia (2)
Borg, Mattias (2)
Berg, Martin (2)Ta bort avgränsningen
Lind, Erik (2)
Gorji, Sepideh (2)
visa fler...
visa färre...
Lärosäte
Lunds universitet (2)
Språk
Engelska (2)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Naturvetenskap (2)
Teknik (2)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy