SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(JOHANSSON C) ;pers:(Johansson B);pers:(Persson C)"

Sökning: WFRF:(JOHANSSON C) > Johansson B > Persson C

  • Resultat 1-10 av 10
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  •  
4.
  •  
5.
  • Ahuja, R., et al. (författare)
  • Optical properties of 4H-SiC
  • 2002
  • Ingår i: J. Appl. Phys.. ; 91:4, s. 2099-2103
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
  •  
6.
  •  
7.
  • Persson, C, et al. (författare)
  • Effective electronic masses in wurtzite and zinc-blende GaN and AlN
  • 2001
  • Ingår i: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 0022-0248. ; 231:3, s. 397-406 Language: English
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • The effective electron and hole masses are fundamental quantities of semiconductors, used in numerous analyses of experiments and theoretical investigations. We present calculations of the band structure near the band edges in intrinsic GaN and AIN, both
  •  
8.
  • Persson, C, et al. (författare)
  • First-principle calculations of optical properties of wurtzite AlN and GaN
  • 2001
  • Ingår i: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 0022-0248. ; 231:3, s. 407-414 Language: English
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • The imaginary part of the dielectric function of wurtzite AIN and GaN has been calculated in the long wavelength limit, using two different first-principle electronic structure methods. The first method is a full-potential linearized augmented plane wave
  •  
9.
  • Persson, C, et al. (författare)
  • Full band calculation of doping-induced band-gap narrowing in p-type GaAs - art. no. 033201
  • 2001
  • Ingår i: PHYSICAL REVIEW B. - : AMERICAN PHYSICAL SOC. - 0163-1829. ; 6403:3, s. 3201-+ Language: English
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • We have calculated the energy shift of the fundamental band gap as a function of dopant concentration in p-type GaAs, using a perturbation theory based on the zero-temperature Green's function formalism within the random-phase approximation. The electroni
  •  
10.
  • Persson, C, et al. (författare)
  • Metal-nonmetal transition in p-type SiC polytypes - art. no. 205119
  • 2001
  • Ingår i: PHYSICAL REVIEW B. - : AMERICAN PHYSICAL SOC. - 0163-1829. ; 6320:20, s. 5119-+ Language: English
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • The critical concentration for the metal-nonmetal transition has been calculated fur the polytypes 3C, 4H, and 6H of SiC, duped with Al, Ga, B, and Sc. Three different computational methods have been utilized: the first is Mott's original model, the secon
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 10

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy