Tyck till om SwePub Sök här!
WFRF:(Ericson U)
Sökning: WFRF:(Ericson U) > Electrical properti...
Electrical properties of the TiSi2-Si transition region in contacts: The influence of an interposed layer of Nb
-
- Aberg, J (författare)
- Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,MATERIALS SCIENCE/MST
- Persson, S (författare)
- Hellberg, PE (författare)
- visa fler...
- Zhang, SL (författare)
- Smith, U (författare)
- Ericson, F (författare)
- Engstrom, M (författare)
- Kaplan, W (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- AMER INST PHYSICS, 2001
- 2001
- Engelska.
- Ingår i: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - : AMER INST PHYSICS. - 0021-8979. ; 90:5, s. 2380-2388
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The influence of an interposed ultrathin Nb layer between Ti and Si on the silicide formation and the electrical contact between the silicide formed and the Si substrate is investigated. The presence of the Nb interlayer results in the formation of ternar
Nyckelord
- C54 PHASE; ENHANCED FORMATION; SILICON; TRANSFORMATION; TEMPERATURE; RESISTIVITY; FILMS; ACTIVATION; MOLYBDENUM; RESISTANCE
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Aberg, J
- Persson, S
- Hellberg, PE
- Zhang, SL
- Smith, U
- Ericson, F
- visa fler...
- Engstrom, M
- Kaplan, W
- visa färre...
- Artiklar i publikationen
- JOURNAL OF APPLI ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
