SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Persson P. O. Å.)
 

Sökning: WFRF:(Persson P. O. Å.) > Room temperature tw...

Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in AlxGa1−xN/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42)

Knight, Sean Robert (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Lund, 22100, Sweden,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC),NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
Richter, Steffen (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Lund, 22100, Sweden,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC),NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
Papamichail, Alexis (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC)
visa fler...
Kuhne, Philipp (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC)
Armakavicius, Nerijus (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC)
Guo, Shiqi (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC)
Persson, Axel R. (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC)
Stanishev, Vallery (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC)
Rindert, Viktor (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Lund, 22100, Sweden
Persson, Per O. Å. (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten
Paskov, Plamen P. (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén)
Schubert, Mathias (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Lund, 22100, Sweden; Department of Electrical and Computer Engineering, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, 68588, NE, United States,Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC),NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH
Darakchieva, Vanya (författare)
Linköping University,Lund University,Lunds universitet,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Solid State Physics and NanoLund, Lund University, Lund, 22100, Sweden,Center for III-Nitride Technology (C3NiT—Janzén); Terahertz Materials Analysis Center (THeMAC),NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,LU profilområde: Ljus och material,Lunds universitets profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,LU Profile Area: Light and Materials,Lund University Profile areas
visa färre...
 (creator_code:org_t)
American Institute of Physics Inc. 2023
2023
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : American Institute of Physics Inc.. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 134:18
Relaterad länk:
http://dx.doi.org/10... (free)
visa fler...
https://urn.kb.se/re...
https://doi.org/10.1...
https://lup.lub.lu.s...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Al xGa 1−xN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) structures are key components in electronic devices operating at gigahertz or higher frequencies. In order to optimize such HEMT structures, understanding their electronic response at high frequencies and room temperature is required. Here, we present a study of the room temperature free charge carrier properties of the two-dimensional electron gas (2DEG) in HEMT structures with varying Al content in the Al xGa 1−xN barrier layers between x=0.07 and x=0.42⁠. We discuss and compare 2DEG sheet density, mobility, effective mass, sheet resistance, and scattering times, which are determined by theoretical calculations, contactless Hall effect, capacitance-voltage, Eddy current, and cavity-enhanced terahertz optical Hall effect (THz-OHE) measurements using a low-field permanent magnet (0.6 T). From our THz-OHE results, we observe that the measured mobility reduction from x=0.13 to x=0.42 is driven by the decrease in 2DEG scattering time, and not the change in effective mass. For x<0.42⁠, the 2DEG effective mass is found to be larger than for electrons in bulk GaN, which in turn, contributes to a decrease in the principally achievable mobility. From our theoretical calculations, we find that values close to 0.3 m0 can be explained by the combined effects of conduction band nonparabolicity, polarons, and hybridization of the electron wavefunction through penetration into the barrier layer.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy