SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Svensson Erik)
 

Sökning: WFRF:(Svensson Erik) > (2020-2021) > Vertical nanowire I...

Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain

Kilpi, Olli-Pekka (författare)
Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Hellenbrand, Markus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Svensson, Johannes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
visa fler...
Lind, Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Wernersson, Lars-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2020-06
2020
Engelska.
Ingår i: Electronics Letters. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 1350-911X .- 0013-5194. ; 56:13, s. 669-671
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • High-frequency performance of vertical InAs/InGaAs heterostructure nanowire MOSFETs on Si is demonstrated for the first time for a gate-last configuration. The device architecture allows highly asymmetric capacitances, which increases the power gain. A device with Lg = 120 nm demonstrates fT = 120 GHz, fmax = 130 GHz and maximum stable gain (MSG) = 14.4 dB at 20 GHz. These metrics demonstrate the state-of-the-art performance of vertical nanowire MOSFETs.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy