Effect of compositional interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on SiC''

Tyck till om SwePub Sök här!

Hashemi, Seyed Ehsan, 1986 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Hjort, Filip, 1991 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Stattin, Martin, 1983 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Ive, Tommy, 1968 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Bäcke, Olof, 1984 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Lotsari, Antiope, 1981 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Halvarsson, Mats, 1965 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Adolph, David, 1971 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Desmaris, Vincent, 1977 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Meledin, Denis, 1974 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Haglund, Åsa, 1976 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

(creator_code:org_t)

2017
2017
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Express. - 1882-0786 .- 1882-0778. ; 10:5, s. 055501-

Relaterad länk:: https://research.cha...; visa fler...; https://doi.org/10.7...; visa färre...

Abstract Ämnesord

Stäng

We have investigated the effect of strain-compensating interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs). Samples with 10.5 mirror pairs were grown through plasma-assisted molecular beam epitaxy on SiC. Room-temperature current–voltage characteristics were measured vertically in mesas through 8 of the 10.5 pairs. The sample with no interlayers yields a mean specific series resistance of 0.044 Ω cm2 at low current densities, while three samples with 5/5-Å-thick, 2/2-nm-thick, and graded interlayers have resistivities between 0.16 and 0.34 Ω cm2. Thus, interlayers impair vertical current transport, and they must be designed carefully when developing conductive DBRs.

Av författaren/redakt...: Hashemi, Seyed E ...; Hjort, Filip, 19 ...; Stattin, Martin, ...; Ive, Tommy, 1968; Bäcke, Olof, 198 ...; Lotsari, Antiope ...; visa fler...; Halvarsson, Mats ...; Adolph, David, 1 ...; Desmaris, Vincen ...; Meledin, Denis, ...; Haglund, Åsa, 19 ...; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Telekommunikatio ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.