onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:c06f55d4-b388-4940-8d57-01a5c2efd5d7"
Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:c06f55d4-b388-4940-8d57-01a5c2efd5d7" > Structural and elec...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Wu, L.Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT) (författare)
Structural and electronic properties of two-dimensional stanene and graphene heterostructure
- Artikel/kapitelEngelska2016
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- 2016-11-25
- Springer Science and Business Media LLC,2016
- electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:research.chalmers.se:c06f55d4-b388-4940-8d57-01a5c2efd5d7
- https://research.chalmers.se/publication/247727URI
- https://doi.org/10.1186/s11671-016-1731-zDOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- Structural and electronic properties of two-dimensional stanene and graphene heterostructure (Sn/G) are studied by using first-principles calculations. Various supercell models are constructed in order to reduce the strain induced by the lattice mismatch. The results show that stanene interacts overall weakly with graphene via van der Waals (vdW) interactions. Multiple phases of different crystalline orientation of stanene and graphene could coexist at room temperature. Moreover, interlayer interactions in stanene and graphene heterostructure can induce tunable band gaps at stanene’s Dirac point, and weak p-type and n-type doping of stanene and graphene, respectively, generating a small amount of electron transfer from stanene to graphene. Interestingly, for model Sn(7)/G(5), there emerges a band gap about 34 meV overall the band structure, indicating it shows semiconductor feature.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Maskinteknik Strömningsmekanik och akustik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Mechanical Engineering Fluid Mechanics and Acoustics hsv//eng
- Graphene
- Structural properties
- Heterostructure
- Stanene
- First-principles
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Lu, P. F.Chinese Academy of Sciences,Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT) (författare)
- Bi, JingyunBeijing University of Posts and Telecommunications (BUPT) (författare)
- Yang, ChuanghuaShanxi University (författare)
- song, yuxinChinese Academy of Sciences (författare)
- Guan, P. F.Beijing Computational Science Research Center (författare)
- Wang, Shu Min,1963Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)shumin (författare)
- Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT)Chinese Academy of Sciences (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Nanoscale Research Letters: Springer Science and Business Media LLC11:1, Artikel nr: 5251556-276X1931-7573
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- Nanoscale Research Letters (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Wu, L.
- Lu, P. F.
- Bi, Jingyun
- Yang, Chuanghua
- song, yuxin
- Guan, P. F.
- visa fler...
- Wang, Shu Min, 1 ...
- visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Maskinteknik
- och Strömningsmekani ...
- Artiklar i publikationen
- Nanoscale Resear ...
- Av lärosätet
- Chalmers tekniska högskola
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
