SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Svensson Erik)
 

Sökning: WFRF:(Svensson Erik) > Effect of Gate Oxid...

Effect of Gate Oxide Defects on Tunnel Transistor RF Performance

Hellenbrand, Markus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Memisevic, Elvedin (författare)
Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Svensson, Johannes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
visa fler...
Krishnaraja, Abinaya (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Lind, Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Wernersson, Lars-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2018
2018
Engelska 2 s.
Ingår i: 2018 76th Device Research Conference (DRC). - 9781538630280 ; , s. 137-138
  • Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Tunnel field-effect transistors (TFETs) are designed for low off-state leakage and low drive voltages. To investigate how capable TFETs are of RF operation, we measured their scattering parameters and performed small-signal modeling. We find that in the low frequency ranges, gate oxide defects have a major influence on the RF performance of these devices, which can be modeled by a frequency-dependent gate-to-drain conductance ggd;w. This model is based on charge trapping in gate oxide defects and was studied before for metal-oxide-semiconductor capacitors.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

kon (ämneskategori)
vet (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy