Tyck till om SwePub Sök här!
WFRF:(Svensson Erik)
Sökning: WFRF:(Svensson Erik) > Random telegraph si...
- 36 av 1386
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Random telegraph signal noise in tunneling field-effect transistors with S below 60 mV/decade
-
- Hellenbrand, Markus (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Memisevic, Elvedin (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
-
- Svensson, Johannes (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2017
- 2017
- Engelska 4 s.
- Ingår i: 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2017. - 9781509059782 - 9781509059799 ; , s. 38-41
- Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Single gate oxide defects in strongly scaled Tunneling Field-Effect Transistors with an inverse subthreshold slope well below 60 mV/decade are investigated by Random Telegraph Signal (RTS) noise measurements. The cause for RTS noise are electrons being captured in and released from individual defects in the gate oxide. Under the assumption that elastic tunneling is the underlying capture and emission mechanism, the measured RTS time constants vary with the relative position of the channel Fermi level and the defect energy level while the amplitudes — independent of the capture and release mechanism — follow the inverse of the inverse subthreshold slope.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology (hsv//eng)
Nyckelord
- Tunnel Field-Effect Transistors
- Nanowires
- Below 60 mV/decade
- Random Telegraph Signal Noise
- Elastic Tunneling
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- vet (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2017 (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 36 av 1386
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Hellenbrand, Mar ...
- Memisevic, Elved ...
- Svensson, Johann ...
- Lind, Erik
- Wernersson, Lars ...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- Artiklar i publikationen
- 47th European So ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
