SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:0b7a569c-530b-46f9-ac7c-c67aeb17edd1"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:0b7a569c-530b-46f9-ac7c-c67aeb17edd1" > Defect studies in M...

Defect studies in MBE grown GaSb1-x Bi x layers

Segercrantz, N. (författare)
Aalto University, Finland
Kujala, J. (författare)
Aalto University, Finland
Tuomisto, F. (författare)
Aalto University, Finland
visa fler...
Slotte, J. (författare)
Aalto University, Finland
Song, Yuxin, 1981 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Wang, Shu Min, 1963 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2014
2014
Engelska.
Ingår i: AIP Conference Proceedings. - 1551-7616 .- 0094-243X. ; 1583, s. 174-177
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Positron annihilation spectroscopy in Doppler broadening mode is used to study epitaxial layers of GaSb 1-x Bi x on undoped GaSb. The samples were grown by Molecular Beam Epitaxy at different temperatures and with different Bi/Sb beam equivalent pressure ratios resulting in Bi concentrations of 0-0.7 %. The results show a relationship between the growth parameters and Doppler broadening parameters. Incorporating Bi into GaSb decreases the vacancy concentration in the epitaxial layers compared to the sample with no Bi in the epitaxial layer.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Materialteknik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Materials Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

GaSbBi
GaSb
Doppler broadening
defect
vacancy
positron annihilation spectroscopy

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy