SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:12ff68da-ac00-456b-a948-fae30f337d6b"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:12ff68da-ac00-456b-a948-fae30f337d6b" > Investigation of me...

Investigation of metamorphic InGaAs quantum wells using N-incorporated buffer on GaAs grown by MBE

Song, Yuxin, 1981 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Wang, Shu Min, 1963 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Xiaohui, Cao (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa fler...
Lai, Zonghe, 1948 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Sadeghi, Mahdad, 1964 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2011
2011
Engelska.
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - 0022-0248. ; 323:1, s. 21-25
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Strong enhancement of photoluminescence intensity from InGaAs quantum wells by incorporating nitrogen in metamorphic InGaAs buffers grown on GaAs substrates was demonstrated and investigated. The enhancement of photoluminescence intensity is found to be from both the weak strain effect and the strong lattice hardening effect, indicating blocking effect of threading dislocations due to the N incorporation. Combination of this method with a strain compensated superlattice was proved to be effective in obtaining good quality metamorphic InGaAs quantum wells.

Nyckelord

Dislocations
Molecular beam epitaxy
Semiconducting III-V materials

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy