SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:3d25bf90-5db6-44d1-b654-d7115d60393d"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:3d25bf90-5db6-44d1-b654-d7115d60393d" > Point defect balanc...

Point defect balance in epitaxial GaSb

Segercrantz, N. (författare)
Aalto University, Finland
Slotte, J. (författare)
Aalto University, Finland
Makkonen, I. (författare)
Aalto University, Finland
visa fler...
Kujala, J. (författare)
Aalto University, Finland
Tuomisto, F. (författare)
Aalto University, Finland
Song, Yuxin, 1981 (författare)
Chinese Academy of Sciences, China,Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Wang, Shu Min, 1963 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2014
2014
Engelska.
Ingår i: Applied Physics Letters. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 105:8, s. art. no. 082113-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Positron annihilation spectroscopy in both conventional and coincidence Doppler broadening mode is used for studying the effect of growth conditions on the point defect balance in GaSb:Bi epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy. Positron annihilation characteristics in GaSb are also calculated using density functional theory and compared to experimental results. We conclude that while the main positron trapping defect in bulk samples is the Ga antisite, the Ga vacancy is the most prominent trap in the samples grown by molecular beam epitaxy. The results suggest that the p–type conductivity is caused by different defects in GaSb grown with different methods.

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy