SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:442b8006-e349-4c43-acaf-d52354ba091a"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:442b8006-e349-4c43-acaf-d52354ba091a" > Growth and characte...

Growth and characterization of epitaxial ultra-thin NbN films on 3C-SiC/Si substrate for terahertz applications

Dochev, Dimitar Milkov, 1981 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Desmaris, Vincent, 1977 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Pavolotskiy, Alexey, 1968 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa fler...
Meledin, Denis, 1974 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Lai, Zonghe, 1948 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Henry, Anne (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Janzén, Erik (författare)
Linköping University,Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Pippel, E. (författare)
Max Planck Society for the Advancement of Science (MPG), Germany,Max-Planck-Institute of Microstructure Physics
Woltersdorf, J (författare)
Max Planck Society for the Advancement of Science (MPG), Germany
Belitsky, Victor, 1955 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Dochev, D. (författare)
Chalmers University
Woltersdorf, J. (författare)
Max-Planck-Institute of Microstructure Physics
Belitsky, V. (författare)
Chalmers University
Pavolotsky, A. (författare)
Chalmers University
Meledin, D. (författare)
Chalmers University
Lai, Z. (författare)
Chalmers University
Desmaris, V. (författare)
Chalmers University
visa färre...
 (creator_code:org_t)
IOP, 2011
2011
Engelska.
Ingår i: Superconductor Science and Technology. - : IOP. - 0953-2048 .- 1361-6668. ; 24:3, s. 035016 (6pp)-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report on electrical properties and microstructure of epitaxial thin NbN films grown on 3C-SiC/Si substrates by means of reactive magnetron sputtering. A complete epitaxial growth at the NbN/3C-SiC interface has been confirmed by means of high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) along with x-ray diffractometry (XRD). Resistivitymeasurements of the films have shown that the superconducting transition onset temperature (TC) for the best specimen is 11.8 K. Using these epitaxial NbN films, we have fabricated submicron-size hot-electron bolometer (HEB) devices on 3C-SiC/Si substrate and performed their complete DC characterization. The observed critical temperature TC = 11.3 K and critical current density of about 2.5 MA cm−2 at 4.2 K of the submicron-size bridges were uniform across the sample. This suggests that the deposited NbN films possess the necessary homogeneity to sustain reliable hot-electron bolometer device fabrication for THz mixer applications.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)

Nyckelord

thin films
THz
superconductor
epitaxial growth
hot electron bomometer
NbN
NATURAL SCIENCES
NATURVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy