SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:a24661a4-a10c-43d7-98a3-6fe1406cfc4e"
 

Sökning: onr:"swepub:oai:research.chalmers.se:a24661a4-a10c-43d7-98a3-6fe1406cfc4e" > Growth of dilute ni...

Growth of dilute nitrides and 1.3 μm edge emitting lasers on GaAs by MBE

Wang, Shu Min, 1963 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Adolfsson, Göran, 1981 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Zhao Ternehäll, Huan, 1982 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa fler...
Song, Yuxin, 1981 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Sadeghi, Mahdad, 1964 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Gustavsson, Johan, 1974 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Modh, Peter, 1968 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Haglund, Åsa, 1976 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Westbergh, Petter, 1981 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
Larsson, Anders, 1957 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers tekniska högskola
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2011
2011
Engelska.
Ingår i: Physica Status Solidi (B): Basic Research. - 1521-3951 .- 0370-1972. ; 248:5, s. 1207-1211
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • In this paper, we report recent progresses on growth of dilute nitrides and 1.3 mu m lasers on GaAs using molecular beam epitaxy at Chalmers University of Technology, Sweden. Intense long wavelength light emission up to 1.71 mu m at room temperature has been achieved by using the N irradiation method and the low growth rate. It is also demonstrated that incorporation of N in relaxed InGaAs buffer grown on GaAs strongly enhances the optical quality of metamorphic InGaAs quantum wells. With the optimized growth conditions and the laser structures, we demonstrate 1.3 mu m GaInNAs edge emitting lasers on GaAs with state-of-the-art performances including a low threshold current density, a high-characteristic temperature, a 3 dB bandwidth of 17 GHz and uncooled operation at 10 Gbit/s up to 110 degrees C. The laser performances are comparable with the best reported data from the InGaAsP lasers on InP and is superior to the InAs quantum dot lasers on GaAs.

Nyckelord

carrier localization
molecular-beam epitaxy
quantum-well lasers
modulation
dilute nitrides
1.3 mu m edge emitting laser
performance
gainnas lasers
GaAs
GaInNAs
temperature
threshold current
photoluminescence
surface segregation

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy