SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "L773:0780379993 "

Sökning: L773:0780379993

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  • Yousif, M. Y. A., 1963, et al. (författare)
  • HfO2 for strained-Si and strained-SiGe MOSFETs
  • 2003
  • Ingår i: ESSDERC 2003. Proceedings of the 33rd European Solid-State Device Research - ESSDERC '03. - 1930-8876. - 0780379993 ; , s. 255-
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • We report on HfO2 gate dielectrics grown by atomic layer deposition (ALD) at 600°C on strained-Si and strained-SiGe layers. The strain status in the Si layer remained unaltered after HfO2 deposition and an interface state density of ~1×1011 cm-2 eV-1 was obtained for the case of thick HfO2 films. The breakdown fields were in the range 2-5 MV/cm, which is high compared to HfO2 films grown at higher temperatures. The leakage current was reduced by more than five orders of magnitude for the case of a thin HfO2 film with an EOT of 1.25 nm and ultra-thin cap (2.5-3 nm) layers on Si0.77Ge0.23/Si. The carrier transport through these HfO2 films was found to follow Frenkel-Poole emission over a wide range of applied gate voltage
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy