SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "L773:9781612842417 "

Sökning: L773:9781612842417

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Egard, Mikael, et al. (författare)
  • Self-aligned gate-last surface channel In0.53Ga0.47As MOSFET with selectively regrown source and drain contact layers
  • 2011
  • Ingår i: 69th Device Research Conference, DRC 2011 - Conference Digest. - 9781612842417
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • III-V MOSFETs are currently being considered as a candidate for future high performance transistors [1]. In particular, In1-xGaxAs compounds are investigated for application in digital logic due to their advantageous electronic properties [2]. III-V technologies may be introduced beyond the 22 nm node, which will require a self aligned III/V device architecture as well as integration of high-¿ gate oxides.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Wernersson, Lars-Eri ... (1)
Ohlsson, Lars (1)
Lind, Erik (1)
Borg, B. (1)
Egard, Mikael (1)
Lärosäte
Lunds universitet (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2011 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy