Träfflista för sökning "WFRF:(Aniktar H) "

Sökning: WFRF:(Aniktar H)

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Aniktar, H, et al. (författare) 850/900/1800/1900MHz Quad-Band CMOS Medium Power Amplifier 2006 Ingår i: Proceedings of European Microwave Week 2006. ; , s. 403-406 Konferensbidrag (refereegranskat)abstract This paper presents a two-stage quad-band CMOS RF power amplifier. The power amplifier is fabricated in a 0.25 mum CMOS process. The measured 1-dB compression point between 800 and 900 MHz is 15 dBm plusmn 0.2 dB with maximum 18% PAE, and between 1800 and 1900MHz is 17.5dBm plusmn 0.7dB with maximum 17% PAE. The measured gains in the two bands are 23.6 dB plusmn 0.7 dB and 13 dB plusmn 2.1 dB, respectively.
2.	Aniktar, H, et al. (författare) A Class-AB 1.65GHz-2GHz Broadband CMOS Medium Power Amplifier 2005 Ingår i: Proceedings of Norchip 2005. Konferensbidrag (refereegranskat)abstract In this paper a single stage broadband CMOS RF power amplifier is presented. The power amplifier is fabricated in a 0:25¹m CMOS process. Measurements with a 2:5V supply voltage show an output power of 18:5 dBm with an associated PAE of 16% at the 1-dB compression point. The measured gain is 5.1 § 0:5 dB from 1.65 to 2 GHz. Simulated and measured results agree reasonably well.

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Författare/redaktör: Sjöland, Henrik (2); Aniktar, H (2); H, Mikkelsen, J (2); Larsen, T (2)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy