SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Buca D) "

Sökning: WFRF:(Buca D)

  • Resultat 1-10 av 17
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Driussi, F., et al. (författare)
  • Fabrication, characterization and modeling of strained SOI MOSFETs with very large effective mobility
  • 2007
  • Ingår i: ESSDERC 2007. - 9781424411238 ; , s. 315-318
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • Strained Silicon on insulators (sSOI) wafers with a supercritical thickness of 58 nm were produced using thin strain relaxed SiGe buffer layers, wafer bonding, selective etch back and epitaxial overgrowth. Raman spectroscopy revealed an homogeneous strain of 0.63 +/- 0.03% in the strained Si layer. Long channel n-type SOI-MOSFETs showed very large electron mobilities up to 1200 cm(2)/Vs in the strained Si devices. These values are more than two times larger than those of reference SOI n-MOSFETs. Mobility simulations with state of the art scattering models are then used to interpret the experiments.
  •  
2.
  •  
3.
  •  
4.
  •  
5.
  •  
6.
  •  
7.
  •  
8.
  •  
9.
  •  
10.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 17

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy