↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Buchta R.) "

Sökning: WFRF:(Buchta R.)

Resultat 1-10 av 11

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Blom, Hans-Olof, et al. (författare) A comparative study of the diffusion barrier properties for TiN and ZrN 1984 Ingår i: Thin Solid Films. - 0040-6090 .- 1879-2731. Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Blom, Hans-Olof, et al. (författare) Removal of RSE induced damages in silicon 1986 Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films. - 0734-2101 .- 1520-8559. ; 4:3, s. 752- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Hammar, M., et al. (författare) Investigation of chemically vapour deposited tungsten and tungsten silicide as contacts to n+ and p+ silicon areas 1990 Ingår i: Thin Solid Films. - 0040-6090 .- 1879-2731. ; 185:1, s. 9-19 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract Tungsten and WSi2 have been examined as contact barriers between aluminium and n+ - or p+ -Si. The specific contact resistivity and diode leakage current were evaluated after heat treatment at different temperatures. Rutherford backscattering spectrometry measurements, X-ray diffraction analysis, scanning electron microscopy and sheet resistance measurements were performed to study the thermal stabilities of the Al/W/Si and Al/WSi2/Si systems. The contact resistivities of chemically vapour deposited tungsten and WSi2 to n+ -Si with a surface concentration of 7.5 × 1019 cm-3 were 8 × 10-7 Ωcm2 and 9 × 10-7 Ωcm2 respectively. To p+ -Si with a surface concentration of 2.6 × 1019 cm-3, they were 5 × 10-6 and 1 × 10-6 Ωcm2. Diffusion of aluminium was revealed to occur above 475°C in the case of tungsten and at 475°C in the case of WSi2. The void formation in silicon substrates was observed after heat treatment at 500°C for the Al/WSi2/Si system. The increase in leakage current for the Al/W/Si and Al/WSi2/Si structures is related to the onset of Si-Al interpenetration. Alloy formation was observed at 500°C for tungsten contacts whereas W-Al or other alloys were not detected up to 600°C for the WSi2 contact.
4.	Li, J, et al. (författare) Association of CLEC16A with human common variable immunodeficiency disorder and role in murine B cells 2015 Ingår i: Nature communications. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2041-1723. ; 6, s. 6804- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
5.	Nender, C, et al. (författare) Dry etching of n- and p-type polysilicon - a rate control study 1987 Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films. - 0734-2101 .- 1520-8559. ; 5:4, s. 1600- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Nender, C, et al. (författare) Polysilicon etching in a parallel plate plasma reactor at different frequencies 1986 Konferensbidrag (refereegranskat)
7.	Norström, H, et al. (författare) Redistribution of dopants in TiSi2-polycrystalline bilayers during heat treatment 1983 Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films. - 0734-2101 .- 1520-8559. ; 1:2, s. 463- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
8.	Åhlfeldt, H., et al. (författare) Low-Cost Packaging of Fiber Optics Components: Optoelectronics Meets Micromechanics, Love at First Sight! 1998 Ingår i: Optik i Sverige. Konferensbidrag (refereegranskat)
9.	Östling, M, et al. (författare) A comparison of A1/si diffusion barriers based on TiN or ZrN 1984 Konferensbidrag (refereegranskat)
10.	Östling, M, et al. (författare) A comparison of different methods for removal of damage caused by reactive sputter etching of silicon 1986 Konferensbidrag (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 11

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (7); konferensbidrag (4)

Typ av innehåll: refereegranskat (11)

Författare/redaktör: Buchta, R (10); Norström, H (8); Petersson, CS (6); Östling, M (6); Blom, Hans-Olof (5); Wiklund, P (4); visa fler...; Berg, Sören (3); Nygren, S (3); Nender, C (2); Li, J. (1); Ellinghaus, E. (1); Larsson, O (1); Aukrust, P. (1); Perez, E. (1); Svensson, M. (1); Johansson, T (1); Elder, JT (1); Nair, RP (1); Hammarstrom, L (1); Karlsen, TH (1); Cunningham-Rundles, ... (1); Sullivan, KE (1); Orange, JS (1); Franke, A (1); Padyukov, L (1); Witte, T (1); Nilsson, M (1); Nothen, MM (1); Adomat, M (1); Holm, J. (1); Vieider, C. (1); Leisner, Peter (1); Chapel, H (1); Pandey, R. (1); Folseraas, T (1); Lieb, W (1); Schreiber, S (1); Haglund, J (1); Gieger, C (1); Hakonarson, H (1); Brand, S (1); Buning, C (1); Hammar, M (1); Johansson, Å. (1); Åhlfeldt, H. (1); Winkelmann, J (1); Warnatz, K (1); Grimbacher, B (1); Ericson, T (1); Zhang, S-L (1); visa färre...

Lärosäte: Uppsala universitet (8); Kungliga Tekniska Högskolan (1); Jönköping University (1); Karolinska Institutet (1)

Språk: Engelska (11)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Naturvetenskap (1)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy