↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Dynefors Kristina 1977) "

Sökning: WFRF:(Dynefors Kristina 1977)

Resultat 1-7 av 7

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Angelov, Iltcho, 1943, et al. (författare) On the large-signal modelling of AlGaN/GaN HEMTs and SiC MESFETs 2005 Ingår i: Proceedings of the GAAS05 conference. Konferensbidrag (refereegranskat)
2.	Desmaris, Vincent, 1977, et al. (författare) Research and development of AlGaN/GaN HEMTs 2001 Ingår i: GHZ2001. Konferensbidrag (refereegranskat)
3.	Dochev, Dimitar Milkov, 1981, et al. (författare) DC and RF performance of MESFET mode 4H-SiC Static Induction transistor 2005 Ingår i: GHz2005. Konferensbidrag (refereegranskat)
4.	Dynefors, Kristina, 1977, et al. (författare) research and development of SiC Static Induction transistor 2003 Ingår i: GHz2003 conference, Linköping 2003. Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract A fabrication process for SiC Static Induction Transistors (SITs) is developed and tested. Simulated and measured results of the device are presented. The complete fabrication process involves only 5 lithography steps, due to the self-aligned process used for mesa, ohmic contacts and gates. This makes the process fast and minimize the risk of process errors. Only optical lithography is used in the process, why dimensions are not optimised. Mesa widths of 2, 3, 4 and 5 µm are processed. Since the process is scalable, better performance can be expected with smaller widths achieved by the use electron beam lithography. Preliminary results indicate FET operation with a maximum current density of 110 mA/mm.
5.	Dynefors, Kristina, 1977, et al. (författare) Simple self-aligned fabrication process for silicon carbide static induction transistors 2004 Ingår i: Materials Science Forum. ; 457-460, s. 1125- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Rudzinski, Mariusz, et al. (författare) Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD 2006 Ingår i: Physica Status Solidi C. ; 6, s. 2231-6 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
7.	Rudzinski, Mariusz, et al. (författare) Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD 2005 Ingår i: International Conference on Nitride Semiconductor ICNS-6. Konferensbidrag (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-7 av 7

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: konferensbidrag (5); tidskriftsartikel (2)

Typ av innehåll: refereegranskat (6); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (1)

Författare/redaktör: Zirath, Herbert, 195 ... (7); Desmaris, Vincent, 1 ... (7); Dynefors, Kristina, ... (7); Rorsman, Niklas, 196 ... (4); Eriksson, Joakim, 19 ... (3); Rödle, Thomas (2); visa fler...; Nilsson, Per-Åke, 19 ... (2); Rudzinski, Mariusz (2); Hageman, Paul (2); Weyher, J (2); Angelov, Iltcho, 194 ... (1); Dochev, Dimitar Milk ... (1); Jos, Hendrikus, 1954 (1); Larsen, Poul (1); Jos, Rik (1); Van Hal, P (1); Van Hal, Paul (1); larsen, Pol (1); visa färre...

Lärosäte: Chalmers tekniska högskola (7)

Språk: Engelska (7)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (7)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy