SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(HESZLER P) "

Sökning: WFRF:(HESZLER P)

  • Resultat 1-10 av 45
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  • Heszler, P, et al. (författare)
  • Photodissociation dynamics of gas-phase C-60 probed by optical emission spectroscopy
  • 1996
  • Ingår i: PHYSICAL REVIEW B-CONDENSED MATTER. - : AMER INST PHYSICS. ; 53:19, s. 12541-12544
  • Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
    • Fragmentation of gas-phase C-60 after 193 nm laser excitation at 300 mJ/cm(2) fluence is probed by optical emission spectroscopy. Atomic C emission at 247.85 nm, and Mulliken, Deslandres-D'Azambuja, and Swan bands from C-2 species are observed. Time-resol
  •  
4.
  • Heszler, P, et al. (författare)
  • Photon emission from gas phase fullerenes excited by 193 nm laser radiation
  • 1997
  • Ingår i: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS. - : AMER INST PHYSICS. - 0021-9606. ; 107:24, s. 10440-10445
  • Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
    • Continuous, black-body-type light emission is observed upon irradiation of gas phase C-60 and C-70 by 193 nm ArF excimer laser at fluences from 3 to 80 mJ/cm(2) in Ar and He ambient. Cluster temperatures are estimated by calibrating the detection system a
  •  
5.
  •  
6.
  • Ederth, J., Niklasson, G.A., Hultåker, A.,. Heszler P., Granqvist, C.G., van Doorn, A., Jongerius, M.J. and Burgard, D. Characterization of Porous Indium Tin Oxide Thin Films using Effective Medium Theory, J. Appl. Phys. 93, 984-988 (2003). (författare)
  • Characterization of Porous Indium Tin Oxide Thin Films using Effective Medium Theory
  • 2003
  • Ingår i: J. Appl. Phys. 93, 984-988 (2003)..
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
  •  
7.
  •  
8.
  •  
9.
  •  
10.
  • Farkas, B., et al. (författare)
  • Optical, compositional and structural properties of pulsed laser deposited nitrogen-doped Titanium-dioxide
  • 2018
  • Ingår i: Applied Surface Science. - : Elsevier BV. - 0169-4332 .- 1873-5584. ; 433, s. 149-154
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • N-doped TiO2 thin films were prepared using pulsed laser deposition by ablating metallic Ti target with pulses of 248 nm wavelength, at 330 °C substrate temperature in reactive atmospheres of N2/O2 gas mixtures. These films were characterized by spectroscopic ellipsometry, X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction. Optical properties are presented as a function of the N2 content in the processing gas mixture and correlated to nitrogen incorporation into the deposited layers. The optical band gap values decreased with increasing N concentration in the films, while a monotonically increasing tendency and a maximum can be observed in case of extinction coefficient and refractive index, respectively. It is also shown that the amount of substitutional N can be increased up to 7.7 at.%, but the higher dopant concentration inhibits the crystallization of the samples.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 45

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy