SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Olafsson Halldor 1972) "

Sökning: WFRF:(Olafsson Halldor 1972)

  • Resultat 1-10 av 21
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  • Allerstam, Fredrik, 1978, et al. (författare)
  • Comparison between oxidation processes used to obtain the high inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs
  • 2007
  • Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 1361-6641 .- 0268-1242. ; 22:4, s. 307-311
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • In this work two oxidation methods aimed at improving the silicon face 4H-SiC/SiO 2 interface are compared. One is an oxidation in N 2 O performed in a quartz tube using quartz sample holders and the other is a dry oxidation performed in an alumina tube using alumina sample holders. In n-type metal oxide semiconductor (MOS) capacitors the interface state density near the SiC conduction band edge is estimated using capacitance-voltage (C-V) and thermal dielectric relaxation current (TDRC) measurements. N-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are characterized by current-voltage (I-V) techniques and the inversion channel mobility is extracted. It is shown that the high inversion channel mobility (154 cm 2 V -1 s -1 ) seen in samples oxidized using alumina correlates with a low interface trap density (3.6 × 10 11 cm -2 ). In the case of N 2 O oxidation the mobility is lower (24 cm 2 V -1 s -1 ) and the interface trap density is higher (1.6 × 10 12 cm -2 ). Room temperature C-V measurements are of limited use when studying traps near the conduction band edge in MOS structures while the TDRC measurement technique gives a better estimate of their density. © 2007 IOP Publishing Ltd.
  •  
3.
  •  
4.
  •  
5.
  •  
6.
  •  
7.
  •  
8.
  •  
9.
  •  
10.
  • Gudjonsson, Gudjon, 1973, et al. (författare)
  • High Power Density 4H-SiC RF MOSFETs
  • 2006
  • Ingår i: IEEE Electron Device Letters. ; 527-529, s. 1277-1280
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 21

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy