| 1. |
- Bolinsson, J, et al.
(författare)
-
Direct observation of atomic scale surface relaxation in ortho twin structures in GaAs by XSTM
- 2009
-
Ingår i: Journal of Physics: Condensed Matter. - : IOP Publishing. - 1361-648X .- 0953-8984. ; 21:5
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- We have studied the (110) GaAs surface of a structure containing ortho twins by cross-sectional scanning tunnelling microscopy and we have compared the experimental results with ab initio density functional theory calculations and STM simulations. Both experimentally and theoretically we find that the surface of different twin crystallites are significantly displaced with respect to each other, parallel to the twin boundary. This result is explained by a surface relaxation of the atoms in the (110) GaAs surface and the difference between the atomic configuration of the ortho twins.
|
|
| 2. |
- Borgström, Magnus, et al.
(författare)
-
Spontaneous InAs quantum dot nucleation at strained InP/GaInAs interfaces
- 2003
-
Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 83:23, s. 4830-4832
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- We present a cross-sectional scanning-tunneling microscopy investigation of twofold stacked InAs quantum dots in InP, between layers of GaInAs. The dots are vertically aligned, and images with atomic resolution show that the dots consist of pure InAs. Despite the intended twofold stacking of dots, three dots were often found in the stacks. The third dot formed immediately on top of the final InP layer, at the InP/GaInAs interface. Atomically resolved images of these spontaneously formed dots indicate that they also consist of pure InAs. The effect is discussed in terms of phase segregation of GaInAs and arsenic-phosphorus exchange reactions. (C) 2003 American Institute of Physics.
|
|
| 3. |
|
|
| 4. |
- Fredriksson, Johan, et al.
(författare)
-
Attendance Numbers at SI Sessions and Their Effect on Learning Conditions
- 2020
-
Ingår i: Journal of Peer Learning. - 2200-2359. ; :13, s. 21-35
-
Forskningsöversikt (refereegranskat)abstract
- Supplemental Instruction (SI) is a well-known academic support model to address retention and student performance in higher education. However, in studies reporting the effect of SI, the number of attendees at SI sessions are seldom mentioned or reflected upon. This study investigates whether there is a lower, optimal, and upper number of SI attendees for SI sessions with viable learning conditions. A literature review of 135 publications on studies of SI programmes was conducted along with a survey of 44 SI Leaders and 176 SI attendees at Lund University in Sweden. The literature review shows that there is no consensus regarding minimum, optimum, or maximum numbers of SI session size for viable learning conditions. In the survey, the number of attendees for optimal learning conditions was estimated to be 11–12 by both leaders and attendees. These respondents also estimated that if the number of attendees is below five or above 16 students, the learning conditions are likely to suffer. In the former case, this is attributed to too little collective knowledge, too few viewpoints, and a risk of the SI Leader being too prominent (less active participants). In the latter case, attendees are likely to find the conditions noisy and feel that they do not get seen, while the SI Leader may have difficulty structuring the session as well as getting an overview of the different group discussions. The results hint at the importance of reporting attendance numbers at an SI session. Otherwise, it is impossible for an outsider to determine whether the conditions were favourable for small group learning and thus makes it hard to judge SI’s effectiveness.
|
|
| 5. |
- Fredriksson, Johan, et al.
(författare)
-
Does size matter? Attendance numbers at SI-sessions and how it affects learning conditions
- 2020
-
Ingår i: Journal of Peer Learning. - 2200-2359. ; 13, s. 21-21
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- Supplemental Instruction (SI) is today a well-known academic support model to address retention and student performance in higher education. However, in studies reporting the effect of SI, the number of attendees at SI-sessions are seldom mentioned or reflected upon.This study investigates if there is a lower, optimal, and upper number of SI-attendees for SI-sessions with viable learning conditions. A literature review of 135 publications on studies of SI-programmes was conducted combined with a survey of 44 SI-leaders and 176 SI-attendees at Lund University in Sweden.The literature review shows that there is no consensus regarding minimum, optimum or maximum numbers for SI-session attendance size for viable learning conditions. In the survey, the number of attendees for optimal learning conditions was estimated to 11-12 by both leaders and attendees. These respondents also estimated that if the number of attendees is below 5 or above 16 students the learning conditions are likely to suffer. In the former case this is attributed to too little collective knowledge, too few viewpoints and a risk of the SI-leader being too prominent (less active participants). In the latter case, attendees are likely to find the conditions noisy and feel that they do not get seen, while the SI-leader may have difficulties in obtaining a good structure in the session as well as getting an overview of the different group discussions. The results hint to the importance of reporting attendance numbers at an SI-session. Otherwise it is impossible for an outsider to determine if the conditions were favourable for small group learning and thus makes it hard to judge SI’s effectiveness.
|
|
| 6. |
- Höglund, Linda, 1974-, et al.
(författare)
-
Quantum dots-in-a-well infrared photodetectors for long wavelength infrared detection
- 2006
-
Ingår i: Proceedings of SPIE. - Bellingham, Wash. : SPIE - International Society for Optical Engineering. - 9780819464996 ; 6401, s. 1-640109
-
Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
- We report on a quantum dots-in-a-well infrared photodetector (DWELL QDIP) grown by metal organic vapor phase epitaxy. The DWELL QDIP consisted of ten stacked InAs/In0.5Ga0.85As/GaAs QD layers embedded between n-doped contact layers. The density of the QDs was about 9 × 10 10 cm-2 per QD layer. The energy level structure of the DWELL was revealed by optical measurements of interband transitions, and from a comparison with this energy level scheme the origin of the photocurrent peaks could be identified. The main intersubband transition contributing to the photocurrent was associated with the quantum dot ground state to the quantum well excited state transition. The performance of the DWELL QDIPs was evaluated regarding responsivity and dark current for temperatures between 15 K and 77 K. The photocurrent spectrum was dominated by a LWIR peak, with a peak wavelength at 8.4 μm and a full width at half maximum (FWHM) of 1.1 μm. At an operating temperature of 65 K, the peak responsivity was 30 mA/W at an applied bias of 4 V and the dark current was 1.2×10-5 A/cm2. Wavelength tuning from 8.4 μm to 9.5 μm was demonstrated, by reversing the bias of the detector.
|
|
| 7. |
|
|
| 8. |
- Malm, Joakim, et al.
(författare)
-
UTVÄRDERING AV SI-VERKSAMHETEN VID LUNDS UNIVERSITET 2016/17
- 2017
-
Rapport (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)abstract
- Samverkansinlärning/Supplemental Instruction (SI) är en pedagogisk metod som syftar till att öka genomströmningen i svåra kurser. Metoden uppstod i USA vid University of Missouri Kansas City i mitten på 1970-talet och har därefter spridits till mer än 1500 högre lärosäten i ett trettiotal länder (Martin, 2008). Kort kan SI sägas vara ett studentdrivet komplement till ordinarie undervisning vid högre utbildning. Material i en kurs bearbetas tillsammans i en studiegrupp genom diskussion och grupparbeten under ledning av en äldre student – den s.k. SI-ledaren. Samverkansinlärning kom till Lunds universitet 1994 och har fått stor spridning på universitetet. Lund universitet utgör också ett nav för SI både i Sverige (SI finns på ca 15 svenska högre lärosäten) och i Europa och är också platsen för det nordeuropeiska SI-centret som ansvarar för utbildning och uppföljning i området på uppdrag av det internationella SI-centret i USA. Denna rapport sammanfattar resultaten från en utvärdering av SI-verksamheten vid Lunds universitet under läsåret 2016/17. SI-programmet vid Lunds universitet är omfattande med verksamhet på sex av universitetets fakulteter. Totalt har vi årligen ca 230 verksamma SIledare i ett sjuttiotal kurser. Organisationen av SI varierar mellan de olika fakulteterna. En ytterlighet finns vid LTH och naturvetenskaplig fakultet där verksamheten är starkt centraliserad. Den andra ytterligheten är vid samhällsvetenskaplig fakultet där SI-verksamheten är decentraliserad till de olika ämnena. Det som förenar de olika verksamhetsansvariga är den entusiasm som finns för SI-konceptet samt de dedikerade studenter som är SI-ledare. Närvaron på SI-möten är relativt god. Totalt har vi över 4000 studenter vid Lunds universitet som nyttjar SI varje år och en närvaro kring 30 % av kursregistrerade i snitt. Antalet deltagare på ett SI-möte ligger kring 10 i medeltal med en standardavvikelse kring 5 studenter, vilket ger goda förutsättningar för produktiva SI-möten generellt sett. De utvärderingar som gjorts av sambandet mellan SI-närvaro och kursresultat antyder att aktivt deltagande på SI ökar chanserna till ett bra resultat på kursen oavsett ämne. En specialundersökning i en kurs i matematik antyder också att alla studenter verkar gynnas av att gå på SI oavsett förkunskapsnivå. Enkätutvärderingar bland deltagarna antyder att den främsta drivkraften att delta på SI är att förstå kursmaterialet oavsett ämne och fakultet. Strategiska motiv som att klara kursen är normalt underordnade även om detta varierar beroende på fakultet/ämne. Det är roligt att konstatera att studiesocial interaktion mestadels värderas högt som motiv att delta på SI. Arbetsmiljön på SI upplevs som bra (lätt att fråga, lättsam, positiv och stödjande atmosfär samt lagom tempo) och generellt verkar mötena följa SI-metodiken väl. Oavsett fakultet verkar majoriteten av deltagarna känna att SI-mötena hjälper dem i deras kursarbete. De får en bättre förståelse av vad som förväntas av dem i kursen, ett ökat intresse för ämnet samt stöd i kursarbetet. De allra flesta verkar känna att de får en betydligt djupare förståelse för det kursmaterial man går igenom på SI-mötena. Dessutom upplever många att de sannolikt kommer att förbättra sitt kursresultat genom deltagande på SI. Detta antagande stödjs också som nämnts ovan av SI-närvaro och examinationsstatistik från kurser och ju högre SI närvaro desto bättre verkar det gå oavsett ämnesområde. Att döma av deltagarnas enkätsvar är det inte bara kursen med tillhörande SI som gynnas av SI-deltagande. Flera generella färdigheter tränas som bör gynna studenter i studier i andra kurser utan SI. Många deltagare upplever att färdigheter som problemlösningsförmåga, kritiskt tänkande, lagsamverkan och samarbete, presentation inför andra och sätt att studera utvecklats genom att delta på SI. Dessutom får flera ett förbättrat självförtroende i sina studier samt ett ökat nätverk av studiekamrater. Tidigare studier vid LTH antyder att de som deltagit på SI också presterar bättre i andra kurser utan SI och att de är mindre benägna att göra studieavbrott och tar ut examen i högre utsträckning (Malm, Bryngfors, & Mörner, 2012; Malm, Bryngfors, & Mörner, 2015; Malm, Bryngfors, & Fredriksson, 2017). Deltagarnas svar på frågan med ”Vad tycker du är det bästa med SI-mötena?” betonar möjligheten till diskussion och social interaktion, en god studiemiljö samt förståelseinriktad studietid. Detta gäller oavsett ämnesområde. Vad kan då förbättras med SI-mötena? Några antyder att strukturen/effektiviteten på mötena kan vara bristande. Detta kan i sin tur bero av att stödet för SI-ledare i form av observationer och handledning inte alltid fungerar som det skall. Detta är något att titta närmare på inom universitetet. Annat som kan förbättras med SI-verksamheten är att man vill ha fler möten, mer tid till mötena eller bättre schematider. Internationellt anses det ofta att SI-ledarna är de största ”vinnarna” i SI-konceptet pga de ledarskaps- och grupphanteringsfärdigheter de erhåller. Detta antyds även i enkätutvärderingarna för SI-ledare vid Lunds universitet. SI-ledarna verkar dessutom få ett bättre självförtroende, djupare förståelse av kursämnet samt bli bättre på att prata inför andra. Både deltagare och SI-ledare är generellt nöjda med sina möten.
|
|
| 9. |
|
|
| 10. |
- Mikkelsen, Anders, et al.
(författare)
-
Co on Mo(110) studied by scanning tunneling microscopy
- 2004
-
Ingår i: Surface Science. - : Elsevier BV. - 0039-6028. ; 557:1-3, s. 109-118
-
Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
- We have studied the interface formation of thin films of Co on a Mo(1 1 0) surface by the use of scanning tunneling microscopy (STM), low energy electron diffraction (LEED) and auger electron spectroscopy (AES). Below a coverage of about 0.4 monolayers (ML) we find that Co grows in small islands which are pesudomorphic with the Mo substrate. At a Cc coverage above 0.4 ML, the Co atoms condense into larger islands and forms a close-packed Co layer close to that of the Co(0 0 0 1) plane resulting in a coincidence structure with the underlying Mo(1 1 0) substrate. Increasing the Co coverage. we observe that the film grows in a layer-by-layer fashion up to 2 ML at room temperature, however by annealing such a film to 670 K the Co forms 3D islands. STM images displaying atomic resolution, reveal the atomic arrangement and corrugation of the close-packed Co film formed at Co coverages above 0.4 ML at room temperature. In particular, the STM data directly demonstrate the appearance of the coincidence lattice between the Nishiyama-Wasserman orientated Co film and the Mo(1 1 0) substrate. We show how this appearance may change due to subtle changes of the registry between the Co film and the Mo(1 1 0) surface. This behavior can be explained by partial dislocations relaxing the strained close-packed Co layer by a small rigid translation. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
|
|
