↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Tyck till om SwePub Sök här!

Träfflista för sökning "WFRF:(Raeissi Bahman 1979) "

Sökning: WFRF:(Raeissi Bahman 1979)

Resultat 1-10 av 36

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Chang, S, et al. (författare) An electrowetting-based microfluidic platform for magnetic bioassays 2010 Ingår i: The 14th International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry and Life Sciences, MicroTAS 2010, 3-7 Oktober, Groningen, Neterlands. - 9781618390622 ; 2, s. 1331-1333 Konferensbidrag (refereegranskat)abstract Here we present our recent work on a droplet-based microfluidic device for manipulating microliter-sized droplets. By replacing the formerly used common dielectric SiO2 with Si3N4 and applying a 33 nm thick Teflon top layer to create a hydrophobic surface, we successfully lowered the actuation voltage from 450 V to 50 Vdc/40 Vac. Sputtered HfO2 with high dielectric constant was also investigated as an insulator, which could reproducibly yield thin defect-free insulation layers and lower the actuation voltage to less than 40 V.
2.	Buiu, Octavian, et al. (författare) Extracting the relative dielectric constant for “high-k layers”from CV measurements – errors and error propagation 2007 Ingår i: Microelectronics Reliability. ; 47, s. 678- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) A generalised methodology for oxide leakage current metric 2008 Ingår i: Proceeding of 9th European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS), Udine, Italy. - 9781424417308 ; , s. 167- Konferensbidrag (refereegranskat)abstract From calculations of semiconductor interfacecharge, oxide voltage and tunneling currents for MOSsystems with equivalent oxide thickness (EOT) in therange of 1 nm, rules are suggested for making itpossible to compare leakage quality of different oxideswith an accuracy of a factor 2 – 3 if the EOT is known.The standard procedure suggested gives considerablybetter accuracy than the commonly used method todetermine leakage at VFB+1V for n-type and VFB-1V forp-type substrates.
4.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Capture cross sections for holes at LaLuO/Si interfaces 2010 Ingår i: Proceedings of the 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, p. 29, Bratislava, June 28 - 30 2010. Konferensbidrag (refereegranskat)
5.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Charging phenomena at the interface between high-k dielectrics and SiOx interlayers 2009 Ingår i: 8th Symposium Diagnostics & Yield Advanced Silicon Devices and Technologies for the ULSI Era, Warsaw, June 22 - 24, 2009 (Invited). Konferensbidrag (refereegranskat)
6.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers (Invited) 2010 Ingår i: Journal of Telecommunications and Information Technology. - 1509-4553 .- 1899-8852. ; 1, s. 10- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
7.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Gate stacks 2013 Ingår i: Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization. - : Wiley. ; , s. 23 - 67 Bokkapitel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
8.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Multiparameter admittance spectroscopy (Invited) 2010 Ingår i: ECS Transactions. - : The Electrochemical Society. - 1938-5862 .- 1938-6737. - 9781566778220 ; 35:3, s. 257-265 Konferensbidrag (refereegranskat)abstract Multiparameter admittance spectroscopy is described for investigating interface state properties of metal-oxide-semiconductor structures. In the conductance mode of this method, it allows for obtaining three-dimensional or contour plots of conductance data which reveal the mechanisms for capture of charge carriers into the interface states.
9.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Multiphonon capture of electrons at high-k-silicon interfaces 2008 Ingår i: Gordon Conference, New London, New Hampshire, August, 2008. Konferensbidrag (refereegranskat)
10.	Engström, Olof, 1943, et al. (författare) Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends 2007 Ingår i: Solid State Electronics. ; 51, s. 622- Tidskriftsartikel (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 36

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (18); konferensbidrag (15); doktorsavhandling (1); bokkapitel (1); licentiatavhandling (1)

Typ av innehåll: refereegranskat (33); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (3)

Författare/redaktör: Raeissi, Bahman, 197 ... (36); Engström, Olof, 1943 (33); Piscator, Johan, 197 ... (19); Gottlob, H. D. B. (15); Hall, S. (14); Cherkaoui, K. (13); visa fler...; Hurley, P. K. (10); Schmidt, M. (8); Mitrovic, I. Z. (7); Lemme, M. C. (6); Lemme, Max C., 1970- (5); Lu, Y (4); Sanz-Velasco, Anke, ... (4); Buiu, O. (4); Davey, W.M. (4); Monaghan, S (4); Lemme, Max (3); Kasper, E. (3); Karmous, A. (3); Kaczmarczyk, M (3); Surma, B (3); Buiu, Octavian (3); Hurley, Paul (3); Cherkaoui, Karim (3); Kaniewska, M (3); Schubert, J (2); O’Connor, E. (2); Kurz, H. (2); Stefani, A (2); Osten, H. J. (2); Lopes, J. M. J. (2); Chalker, P.R. (2); Gottlob, Heiner (2); Werner, M. (1); Johansson, Christer (1); Lai, Zonghe, 1948 (1); Enoksson, Peter, 195 ... (1); Jesorka, Aldo, 1967 (1); Kalaboukhov, Alexei, ... (1); Winkler, Dag, 1957 (1); Chang, S (1); Amirfeiz, Petra, 197 ... (1); Schaller, Vincent, 1 ... (1); Schneiderman, Justin ... (1); Öisjöen, Fredrik, 19 ... (1); Prieto Astalan, Andr ... (1); Ducroquet, F. (1); Gutt, T (1); Przewlocki, H.M. (1); Hall, Steve (1); visa färre...

Lärosäte: Chalmers tekniska högskola (36); Kungliga Tekniska Högskolan (5)

Språk: Engelska (36)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (34); Naturvetenskap (7); Medicin och hälsovetenskap (1)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy