SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Skarp Jarmo) "

Sökning: WFRF:(Skarp Jarmo)

  • Resultat 1-2 av 2
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Ericsson, Per, 1968, et al. (författare)
  • Bonded Al2O3-covered Si-wafers for highly thermally conductive SOI-materials
  • 1998
  • Ingår i: Proceedings of the Fourth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications. ; , s. 576-
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • Aluminum oxide films deposited by low temperature atomic layer epitaxy were studied as an alternative to the commonly used silicon dioxide buried insulator of bonded silicon on insulator wafers. Successful room temperature bonding was performed between bare hydrophilic silicon wafers and silicon wafers covered with aluminum oxide. The surface energy after room temperature bonding was 50 mJ/m2, and after an anneal at 330°C, it had increased to 600 mJ/m2. After annealing at 500°C, the silicon wafers fractured upon insertion of a 50 μm blade. Higher temperatures than 500°C resulted in wafer separation, probably due to film densification and associated tensile stress. Leakage currents through the aluminum oxide films and breakdown electric fields were satisfactory for the intended application after a post-deposition anneal
  •  
2.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-2 av 2
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (2)
Författare/redaktör
Ericsson, Per, 1968 (2)
Bengtsson, Stefan, 1 ... (2)
Skarp, Jarmo (2)
Kanniainen, T. (1)
Lärosäte
Chalmers tekniska högskola (2)
Språk
Engelska (2)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (2)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy