SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Wuerfl Joachim) "

Sökning: WFRF:(Wuerfl Joachim)

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Riedel, Gernot J, et al. (författare)
  • Reducing Thermal Resistance of AlGaN/GaN Electronic Devices Using Novel Nucleation Layers
  • 2009
  • Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 30:2, s. 103-106
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Currently, up to 50% of the channel temperature in AlGaN/GaN electronic devices is due to the thermal-boundary resistance (TBR) associated with the nucleation layer (NL) needed between GaN and SiC substrates for high-quality heteroepitaxy. Using 3-D time-resolved Raman thermography, it is shown that modifying the NL used for GaN on SiC epitaxy from the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)-grown standard AIN-NL to a hot-wall MOCVD-grown AIN-NL reduces NL TBR by 25%, resulting in similar to 10% reduction of the operating temperature of AlGaN/GaN HEMTs. Considering the exponential relationship between device lifetime and temperature, lower TBR NLs open new opportunities for improving the reliability of AlGaN/GaN devices.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy