SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Yao HH) "

Sökning: WFRF:(Yao HH)

  • Resultat 1-10 av 23
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  • 2021
  • swepub:Mat__t
  •  
4.
  •  
5.
  •  
6.
  •  
7.
  • Falth, JF, et al. (författare)
  • Influence of dislocation density on photoluminescence intensity of GaN
  • 2005
  • Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier BV. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 278:01-Apr, s. 406-410
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • The influence of dislocation density on photoluminescence intensity is investigated experimentally and compared to a model. GaN samples were grown by molecular beam epitaxy and metal-organic chemical vapour deposition. Different growth parameters and thicknesses of the layers resulted in different dislocation densities. The threading dislocation density, measured by atomic force microscopy, scanning electron microscopy and X-ray diffraction, covered a range from 5 x 10(8) to 3 x 10(10) cm(-2). Carrier concentration was measured by capacitance-voltage-, and Hall effect measurements and photoluminescence at 2 K was recorded. A model which accounts for the photoluminescence intensity as a function of dislocation density and carrier concentration in GaN is developed. The model shows good agreement with experimental results for typical GaN dislocation densities, 5 x 10(8)-1 x 10(10) cm(-2), and carrier concentrations 4 x 10(16)-1 x 10(18) cm(-3). ©, 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
  •  
8.
  •  
9.
  •  
10.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-10 av 23

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy