SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "L773:9784863486102 "

Sökning: L773:9784863486102

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Schenk, A., et al. (författare)
  • The impact of hetero-junction and oxide-interface traps on the performance of InAs/Si and InAs/GaAsSb nanowire tunnel FETs
  • 2017
  • Ingår i: 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2017. - 9784863486102 ; 2017-September, s. 273-276
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • Fabricated InAs/Si and InAs/GaAsSb vertical nanowire tunnel FETs are analyzed by physics-based TCAD with emphasis on the impact of hetero-junction and oxide-interface traps on their performance. After careful fitting of a minimum set of parameters, the effects of diameter scaling and gate alignment are predicted. Trap-assisted tunneling at the oxide interface is suppressed by scaling the diameter into the volume-inversion regime. Gate alignment steepens the slope and increases the ON-current. The 'trap-tolerant' device geometry can result in a small sub-threshold swing despite commonly present trap concentrations.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Schenk, A (1)
Wernersson, L. E. (1)
Memisevic, E. (1)
Sant, S. (1)
Moselund, K. (1)
Riel, H. (1)
Lärosäte
Lunds universitet (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2017 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy