SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "WFRF:(Tegude F. J.) "

Sökning: WFRF:(Tegude F. J.)

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Keiper, D., et al. (författare)
  • Metalorganic vapour phase epitaxy growth of InP-based heterojunction bipolar transistors with carbon doped InGaAs base using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine in N-2 ambient
  • 2000
  • Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics. - 0021-4922 .- 1347-4065. ; 39:11, s. 6162-6165
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • A process for growth of heterostructure bipolar transistors (HBT) using tertiarybutylarsine (TBA) and tertiarybutylphosphine (TBP) in N-2 ambient is realised, which is compatible with a high temperature overgrowth, thus suitable for the vertical integration Of a laser structure on top of an HBT. A high growth temperature for the C-InGaAs base is favourable, to ensure no: degradation during subsequent growth. Increasing the growth temperature after the base from 500 degreesC to 680 degreesC within the emitter layer instead of at the base-emitter interface was found to improve the ideality factors, the de gain and the turn-on voltage.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Landgren, Gunnar. (1)
Keiper, D. (1)
Velling, P. (1)
Prost, W. (1)
Agethen, M. (1)
Tegude, F. J. (1)
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Språk
Engelska (1)
År
2000 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy