SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-106127" "

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-106127"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Wang, Lijuan, et al. (författare)
  • Enhanced tunneling in the GaAs p(+)-n(+) junction by embedding InAs quantum dots
  • 2012
  • Ingår i: Semiconductor Science and Technology. - : IOP Publishing. - 0268-1242 .- 1361-6641. ; 27:11, s. 115010-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • GaAs p(+)-n(+) junctions with and without a layer of InAs quantum dots (QDs) embedded at the interface are discussed in this article. The current density versus voltage (I-V) characteristics show that the junctions without QDs are weak degenerate due to the Beryllium(Be) atoms diffusion of nominal p(++)-GaAs; the junctions with QDs generate enhanced tunneling current at forward bias, because the QDs layer reduces the Be diffusion and enables a two-step tunneling process. At room temperature, the current density of the sample with QDs is enhanced to 122 A cm(-2) at a forward bias of +0.32 V, which is about 2 orders of magnitude higher than the reference sample without QDs.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Wang, Lijuan (1)
Yu, Ying (1)
Niu, Zhichuan (1)
Ni, Haiqiao (1)
Shang, Xiangjun (1)
Li, Mifeng (1)
visa fler...
Zha, Guowei (1)
He, Jifang (1)
visa färre...
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2012 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy