SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-193157" "

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-193157"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Karlsson, Linda H., et al. (författare)
  • Atomically resolved microscopy of ion implantation induced dislocation loops in 4H-SiC
  • 2016
  • Ingår i: Materials letters (General ed.). - : Elsevier. - 0167-577X .- 1873-4979. ; 181, s. 325-327
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • During high temperature electrical activation of ion-implanted dopant species in SiC, extrinsic dislocation loops are formed on the basal planes of the SiC lattice. Investigations have suggested Si-based loops are caused in accordance with the well-known +1 model. Herein we apply aberration corrected STEM to resolve the atomic structure of these loops. It is shown that the dislocation loops formed during annealing of Al-implanted SiC consist of an extra inserted Si-C bilayer of the (0001) polar sense, which upon insertion into the lattice causes a local extrinsic stacking fault. The +1 model thus needs to be expanded for binary systems. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Hultman, Lars (1)
Hallén, Anders. (1)
Birch, Jens (1)
Persson, Per O A (1)
Karlsson, Linda H. (1)
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Linköpings universitet (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Naturvetenskap (1)
Teknik (1)
År
2016 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy