SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-85421" "

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:kth-85421"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Danielsson, Erik, et al. (författare)
  • Dry etching and metallization schemes in a GaN/SiC heterojunction device process
  • 2000
  • Ingår i: Materials Science Forum. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 338-342, s. 1049-1052
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Dry etching and metallization schemes are described for a GaN/SiC heterojunction. GaN was reactive ion etched in a chlorine based chemistry (Cl2/Ar), and an ICP etch was used on 4H-SiC using a fluorine based chemistry (SF6/Ar/O2). The etch rates obtained on GaN was above 400 nm/min. High sample temperature from self heating and large dc-bias was the probable cause for the high etch rate. The ICP etch rate on SiC approached 320 nm/min, and the etch selectivity to GaN was >100. The metallization was based on Ti for both n-GaN and p-SiC. TLM and Kelvin structures were used to extract the specific contact resistivity, ρC. After a 950 °C anneal in N2 ρC on the GaN samples were below 1·10-6 Ωcm2 for sputtered contacts in room temperature, and an order of magnitude higher with evaporation. On p-SiC no ohmic behavior was found with a doping of 4·1018 cm-3, but the same contact metallization on highly doped areas (>1020 cm-3) showed ohmic behavior with ρC below 10-4 Ωcm2.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Östling, Mikael (1)
Zetterling, Carl-Mik ... (1)
Davis, R.F. (1)
Danielsson, Erik (1)
Lee, S. K. (1)
Linthicum, K. J. (1)
visa fler...
Thomson, D. B. (1)
Nam, O. -H (1)
visa färre...
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2000 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy