SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-137446" ;srt2:(2017)"

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-137446" > (2017)

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Stenberg, Pontus, 1984-, et al. (författare)
  • Matching precursor kinetics to afford a more robust CVD chemistry: a case study of the C chemistry for silicon carbide using SiF4 as Si precursor
  • 2017
  • Ingår i: Journal of Materials Chemistry C. - : Royal Society of Chemistry. - 2050-7526 .- 2050-7534. ; 5, s. 5818-5823
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Chemical Vapor Deposition (CVD) is one of the technology platforms forming the backbone of the semiconductor industry and is vital in the production of electronic devices. To upscale a CVD process from the lab to the fab, large area uniformity and high run-to-run reproducibility are needed. We show by a combination of experiments and gas phase kinetics modeling that the combinations of Si and C precursors with the most well-matched gas phase chemistry kinetics gives the largest area of of homoepitaxial growth of SiC. Comparing CH4, C2H4 and C3H8 as carbon precursors to the SiF4 silicon precursor, CH4 with the slowest kinetics renders the most robust CVD chemistry with large area epitaxial growth and low temperature sensitivity. We further show by quantum chemical modeling how the surface chemistry is impeded by the presence of F in the system which limits the amount of available surface sites for the C to adsorb.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy