SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-38862" "

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-38862"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Kakanakova-Georgieva, Anelia, 1970-, et al. (författare)
  • Uniform hot-wall MOCVD epitaxial growth of 2 inch AlGaN/GaN HEMT structures
  • 2007
  • Ingår i: Journal of Crystal Growth, Vol. 300. - : Elsevier BV. - 0022-0248. ; , s. 100-103
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • The hot-wall metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) concept has been applied to the growth of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) device heterostructures on 2 inch 4H-SiC wafers. Due to the small vertical and horizontal temperature gradients inherent to the hot-wall MOCVD concept the variations of all properties of a typical HEMT heterostructure are very small over the wafer: GaN buffer layer thickness of 1.83 μm±1%, Al content of the AlxGa1-xN barrier of 27.7±0.1%, AlxGa1-xN barrier thickness of 25 nm±4%, sheet carrier density of 1.05×1013 cm-2±4%, pinch-off voltage of -5.3 V±3%, and sheet resistance of 449 Ω±1%.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Janzén, Erik, 1954- (1)
Kakanakova-Georgieva ... (1)
Ivanov, Ivan Gueorgu ... (1)
Forsberg, Urban, 197 ... (1)
Lärosäte
Linköpings universitet (1)
Språk
Engelska (1)
År
2007 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy