SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48554" "

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:liu-48554"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Deak, P, et al. (författare)
  • A cause for SiC/SiO2 interface states : The site selection of oxygen in SiC
  • 2003
  • Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436. ; , s. 535-538
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • We show that in the SiC/SiO2 system the interface states in the lower half of the gap are the consequence of the behavior of oxygen in SiC. Investigating the elemental steps of oxidation on a simple model by means of ab initio density functional calculations we find that, in course of the oxidation, carbon-vacancy (V-C) - oxygen complexes constantly arise. The V-C+O complexes have donor states around E-V+0.8 eV. Their presence gives rise to a thin transition layer which is not SiO2 but an oxygen contaminated Si-rich interface layer producing the aforementioned gap states.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Janzén, Erik (1)
Deak, P (1)
Gali, Adam (1)
Frauenheim, T (1)
Nguyen, Tien Son (1)
Hajnal, Z (1)
visa fler...
Choyke, WJ (1)
Ordejon, P (1)
visa färre...
Lärosäte
Linköpings universitet (1)
Språk
Engelska (1)
År
2003 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy