SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-110994" "

Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-110994"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Qiu, Zhijun, et al. (författare)
  • Role of Si implantation in control of underlap length in Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultrathin body SOI
  • 2008
  • Ingår i: Proceedings of ULIS. - NEW YORK : IEEE. ; , s. 175-178, s. 175-178
  • Konferensbidrag (refereegranskat)abstract
    • This works demonstrates a novel approach using Si implantation prior to Pt deposition and PtSi formation to control the underlap length between the PtSi source/drain regions to the gate in Schottky-Barrier (SB-) MOSFETs. Dopant segregation at the PtSi/Si interface is used to enhance device performance. With the lon /Ioff current ratio as an indicator, optimized Si implant doses are found for both n- and p-channel SB-MOSFETs. Through an effective barrier width, the underlap length has direct implication on the leakage current.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
konferensbidrag (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Lu, J. (1)
Liu, R. (1)
Hellström, Per-Erik (1)
Östling, Mikael (1)
Olsson, Jörgen, 1966 ... (1)
Qiu, Zhijun (1)
visa fler...
Zhang, Zuhua (1)
Zhang, ShiLin (1)
visa färre...
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Uppsala universitet (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2008 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy