SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:2d56992c-c97c-4920-b821-de2585cdc22f" "

Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:2d56992c-c97c-4920-b821-de2585cdc22f"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Kilpi, Olli-Pekka, et al. (författare)
  • Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain
  • 2020
  • Ingår i: Electronics Letters. - : Institution of Engineering and Technology (IET). - 1350-911X .- 0013-5194. ; 56:13, s. 669-671
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • High-frequency performance of vertical InAs/InGaAs heterostructure nanowire MOSFETs on Si is demonstrated for the first time for a gate-last configuration. The device architecture allows highly asymmetric capacitances, which increases the power gain. A device with Lg = 120 nm demonstrates fT = 120 GHz, fmax = 130 GHz and maximum stable gain (MSG) = 14.4 dB at 20 GHz. These metrics demonstrate the state-of-the-art performance of vertical nanowire MOSFETs.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Wernersson, Lars-Eri ... (1)
Lind, Erik (1)
Kilpi, Olli Pekka (1)
Svensson, Johannes (1)
Hellenbrand, Markus (1)
Lärosäte
Lunds universitet (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy