SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "id:"swepub:oai:research.chalmers.se:998c4382-e398-4487-9bcd-eaa8cb2b96c3" "

Sökning: id:"swepub:oai:research.chalmers.se:998c4382-e398-4487-9bcd-eaa8cb2b96c3"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Vidarsson, Arnar M., et al. (författare)
  • Observations of very fast electron traps at SiC/high-κ dielectric interfaces
  • 2023
  • Ingår i: APL Materials. - : AIP Publishing. - 2166-532X. ; 11:11
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Very fast interface traps have recently been suggested to be the main cause behind poor channel-carrier mobility in SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors. It has been hypothesized that the NI traps are defects located inside the SiO2 dielectric with energy levels close to the SiC conduction band edge and the observed conductance spectroscopy signal is a result of electron tunneling to and from these defects. Using aluminum nitride and aluminum oxide as gate dielectrics instead of SiO2, we detect NI traps at these SiC/dielectric interfaces as well. A detailed investigation of the NI trap density and behavior as a function of temperature is presented and discussed. Advanced scanning transmission electron microscopy in combination with electron energy loss spectroscopy reveals no SiO2 at the interfaces. This strongly suggests that the NI traps are related to the surface region of the SiC rather than being a property of the gate dielectric.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy