SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-14539" "

Sökning: onr:"swepub:oai:DiVA.org:kth-14539"

  • Resultat 1-1 av 1
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  • Haralson, Erik, et al. (författare)
  • NiSi integration in a non-selective base SiGeCHBT process
  • 2005
  • Ingår i: Materials Science in Semiconductor Processing. - : Elsevier BV. - 1369-8001 .- 1873-4081. ; 8:03-jan, s. 245-248
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • A self-aligned nickel silicide (salicide) process is integrated into a non-selective base SiGeC HBT process. The device features a unique, fully silicided base region that grows laterally under the emitter pedestal. This Ni(SiGe) formed in this base region was found to have a resistivity of 23-24 muOmega cm. A difference in the silicide thickness between the boron-doped SiGeC extrinsic base region and the in situ phosphorous-doped emitter region is observed and further analyzed and confirmed with a blanket wafer silicide study. The silicided device exhibited a current gain of 64 and HF device performance of 39 and 32 GHz for f(t) and f(MAX), respectively.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-1 av 1
Typ av publikation
tidskriftsartikel (1)
Typ av innehåll
refereegranskat (1)
Författare/redaktör
Östling, Mikael (1)
Malm, B. Gunnar (1)
Radamson, Henry (1)
Haralson, Erik (1)
Wang, Yong-Bin (1)
Suvar, E. (1)
Lärosäte
Kungliga Tekniska Högskolan (1)
Språk
Engelska (1)
Forskningsämne (UKÄ/SCB)
Teknik (1)
År
2005 (1)

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy