SwePub
Sök i SwePub databas

  Utökad sökning

Träfflista för sökning "(WFRF:(Moon J)) srt2:(2000-2004)"

Sökning: (WFRF:(Moon J)) > (2000-2004)

  • Resultat 1-7 av 7
Sortera/gruppera träfflistan
   
NumreringReferensOmslagsbildHitta
1.
  •  
2.
  •  
3.
  • Cho, C. R., et al. (författare)
  • Na0.5K0.5NbO3 thin films for MFIS_FET type non-volatile memory applications
  • 2002
  • Ingår i: Integrated Ferroelectrics. - 1058-4587 .- 1607-8489. ; 49, s. 21-30
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Na0.5K0.5NbO3(NKN) thin films have been prepared on Pt80Ir20, SiO2/Si, and Ta2O5/Si substrates for ferroelectric non-volatile memory applications. Ferroelectric hysteresis loops for Au/NKN/Pt80Ir20 vertical capacitor yielded remnant polarization of 12 muC/cm(2) and coercive field similar to20 kV/cm. Significant flat-band voltage V-FB shifts with buffer layer thickness in Au/NKN/SiO2/Si structures have been attributed to the intermixing between Na and K alkali ions and SiO2 layer. On the other hand, Au/NKN/Ta2O5/Si structure exhibited wide memory window without significant V-FB deviations, low leakage currents, and rather long retention time at zero bias.
  •  
4.
  • Koh, J. H., et al. (författare)
  • Dielectric properties and Schottky barriers in silver tantalate-niobate thin film capacitors
  • 2001
  • Ingår i: Integrated Ferroelectrics. - 1058-4587 .- 1607-8489. ; 39:1-4, s. 1361-1368
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract
    • Submicron thick ferroelectric Ag(Ta,Nb)O-3 films have been pulsed laser deposited on the bulk Pt80Ir20 polycrystalline substrates. They are ferroelectric at temperatures below 125 K with the remnant polarization of 0.4 muC/cm(2) @ 77K and paraelectric at higher temperatures with tandelta @ 100 kHz as low as 0.015. Extensive I-V characterization has been performed in a wide temperature range 77 K to 350 K for vertical Me/Ag(Ta,Nb)O-3/Pt80Ir20 capacitive cells, where the metals Me = Pd, Au, Cr, and Al have been used as a top electrode. The electronic transport in thin Me/Ag(Ta,Nb)O-3/Pt80Ir20 capacitors follows the Schottky emission mechanism with the barrier height for the Pd, Au, Cr, and Al of 0.85, 0.8, 0.74, and 0.69 eV, respectively.
  •  
5.
  •  
6.
  • Moon, S.J., Fournier, K.B., Scott, H., Chung, H-K, Lee, R.W. (författare)
  • Optical pumping experiments in the XUV regime.
  • 2003
  • Ingår i: J. Quant. Spectroscopy & Radiative Transfer. ; 81, s. 311-17.
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
  •  
7.
  •  
Skapa referenser, mejla, bekava och länka
  • Resultat 1-7 av 7

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy