↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "L773:0038 1101 OR L773:1879 2405 srt2:(1975-1979)"

Sökning: L773:0038 1101 OR L773:1879 2405 > (1975-1979)

Resultat 1-7 av 7

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Janney, R, et al. (författare) Computer calculations of the photresponse of a diffused silicon pn junction using the Gummel de Mari algorithm 1978 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 21, s. 796- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Janney, RB, et al. (författare) Transient high level majority and minority carrier photocurrents in p-type silicon Schottky barrier diodes II : comparison with computer calculations 1976 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 19, s. 645- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Norde, Herman, et al. (författare) Transient high level majority and minority carrier photocurrents in p-type silicon Schottky barrier diodes II 1976 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 19, s. 653- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
4.	Rodriguez, A, et al. (författare) Fabrication of short channel MOSFET:s with refractory metal gates using RF sputter etching 1976 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 19, s. 17- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
5.	Tove, PA, et al. (författare) Correlation between Schottky electron and hole currents from a metal contact on chemically etched silicon 1978 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101 .- 1879-2405. ; 21, s. 919- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Jeppson, Kjell, 1947, et al. (författare) The effects of impurity redistribution of the subthreshold leakage current in CMOS n-channel transistors 1976 Ingår i: Solid-State Electronics. - : Elsevier BV. - 0038-1101. ; 19:1, s. 83-85 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract A study of subthreshold leakage current in n-channel transistors on low threshold voltage CMOS circuits has been made. Redistribution of impurities at the silicon surface during thermal oxidation is shown to be the main cause of excess subthreshold leakage current. Processing techniques to minimize this leakage have been developed.
7.	Jeppson, Kjell, 1947, et al. (författare) Unintentional writing of a FAMOS memory device during reading 1976 Ingår i: Solid-State Electronics. - 0038-1101. ; 19:6, s. 455-457 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract A FAMOS cell may be unintentionally written during repeated reading. The temperature dependence of this failure process was studied and it is shown that the worst case for unintentional charging of a FAMOS device occurs at low temperatures. This is qualitatively explained by a simple model including the temperature dependence of preavalanche carrier multiplication and hot electron injection.

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-7 av 7

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (7)

Typ av innehåll: refereegranskat (7)

Författare/redaktör: Tove, PA (3); Norde, Herman (2); Jeppson, Kjell, 1947 (2); Seibt, W (2); Hesselbom, H (2); Janney, RB (2); visa fler...; Rodriguez, A (1); Ali, MP (1); Svensson, Christer, ... (1); Misra, M (1); Janney, R (1); Gates, James (1); visa färre...

Lärosäte: Uppsala universitet (5); Chalmers tekniska högskola (2)

Språk: Engelska (7)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (2)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy