SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Arnaudov B.)
 

Sökning: WFRF:(Arnaudov B.) > (2000) > Hydride vapour phas...

Hydride vapour phase homoepitaxial growth of GaN on MOCVD-grown 'templates'

Paskova, Tanja (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
Tungasmita, Sukkaneste (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Institutionen för fysik, kemi och biologi
Valcheva, E (författare)
Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany
visa fler...
Svedberg, EB (författare)
Arnaudov, B (författare)
Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany
Evtimova, S (författare)
Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany
Persson, Per (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Tunnfilmsfysik
Henry, Anne (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Beccard, R (författare)
Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany
Heuken, M (författare)
Linkoping Univ, IFM, S-58183 Linkoping, Sweden Univ Sofia, Fac Phys, Sofia 1164, Bulgaria Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany
Monemar, Bo (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Warrendale : Materials Research Society, 2000
2000
Engelska.
Serie: Materials Research Society Symposium Procedings, 0272-9172 ; 595
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report on an improved quality of thick HVPE-GaN grown on MOCVD-GaN 'template' layers compared to the material grown directly on sapphire. The film-substrate interface revealed by cathodoluminescence measurements shows an absence of highly doped columnar structures which are typically present in thick HVPE-GaN films grown directly on sapphire. This improved structure results in a reduction of two orders of magnitude of the free carrier concentration from Hall measurements. It was found that the structure, morphology, electrical and optical properties of homoepitaxial thick GaN layers grown by HVPE were strongly influenced by the properties of the MOCVD-GaN 'template'. Additionally the effect of Si doping of the GaN buffer layers on the HVPE-GaN properties was analysed.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy