SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Barbé F)
 

Sökning: WFRF:(Barbé F) > (2002-2004) > Photo-dissociation ...

Photo-dissociation of hydrogen passivated dopants in gallium arsenide

Tong, Longyu (författare)
National Microelectronics Research Centre (NMRC), University College, Lee Maltings, Prospect Row, Cork
Larsson, Andreas (författare)
Nolan, Michael (författare)
National Microelectronics Research Centre (NMRC), University College, Lee Maltings, Prospect Row, Cork
visa fler...
Murtagh, MArtin E. (författare)
National Microelectronics Research Centre (NMRC), University College, Lee Maltings, Prospect Row, Cork
Greer, James C. (författare)
National Microelectronics Research Centre (NMRC), University College, Lee Maltings, Prospect Row, Cork
Barbe, Michel (författare)
Laboratoire de Physique des Solides et de Cristallogénèse, CNRS, 1 Place A. Briand, 92195 Meudon Cedex
Bailly, Francis (författare)
Laboratoire de Physique des Solides et de Cristallogénèse, CNRS, 1 Place A. Briand, 92195 Meudon Cedex
Chevallier, Jacques (författare)
Laboratoire de Physique des Solides et de Cristallogénèse, CNRS, 1 Place A. Briand, 92195 Meudon Cedex
Silvestre, F.S. (författare)
IEMN, UMR CNRS 9929, BP69, Avenue Poincaré, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex
Loridant-Bernard, D. (författare)
IEMN, UMR CNRS 9929, BP69, Avenue Poincaré, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex
Constant, E. (författare)
IEMN, UMR CNRS 9929, BP69, Avenue Poincaré, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex
Constant, F.M. (författare)
Laboratoire de Spectrochimie Infrarouge et Raman, UPR2631L CNRS, Université des Sciences et Techniques de Lille
visa färre...
National Microelectronics Research Centre (NMRC), University College, Lee Maltings, Prospect Row, Cork Laboratoire de Physique des Solides et de Cristallogénèse, CNRS, 1 Place A Briand, 92195 Meudon Cedex (creator_code:org_t)
2002
2002
Engelska.
Ingår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 0168-583X .- 1872-9584. ; 186:1-4, s. 234-239
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A theoretical and experimental study of the photo-dissociation mechanisms of hydrogen passivated n- and p-type dopants in gallium arsenide is presented. The photo-induced dissociation of the Si Ga-H complex has been observed for relatively low photon energies (3.48 eV), whereas the photo-dissociation of C As-H is not observed for photon energies up to 5.58 eV. This fundamental difference in the photo-dissociation behavior between the two dopants is explained in terms of the localized excitation energies about the Si-H and C-H bonds.

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy