SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Forsberg Urban 1971 )
 

Sökning: WFRF:(Forsberg Urban 1971 ) > (2010-2014) > Characterization of...

Characterization of InGaN/GaN quantum well growth using monochromated valence electron energy loss spectroscopy

Palisaitis, Justinas (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
Lundskog, Anders (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Forsberg, Urban (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
visa fler...
Janzén, Erik (författare)
Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
Birch, Jens (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
Hultman, Lars (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
Persson, Per, 1971- (författare)
Linköpings universitet,Tunnfilmsfysik,Tekniska högskolan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2014
2014
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 115:3, s. 034302-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The early stages of InGaN/GaN quantum wells growth for In reduced conditions have been investigated for varying thickness and composition of the wells. The structures were studied by monochromated STEM–VEELS spectrum imaging at high spatial resolution. It is found that beyond a critical well thickness and composition, quantum dots (>20 nm) are formed inside the well. These are buried by compositionally graded InGaN, which is formed as GaN is grown while residual In is incorporated into the growing structure. It is proposed that these dots may act as carrier localization centers inside the quantum wells.

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy