↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Träfflista för sökning "WFRF:(Harris I.) srt2:(1995-1999)"

Sökning: WFRF:(Harris I.) > (1995-1999)

Resultat 1-10 av 16

Sortera/gruppera träfflistan

Sortering: Träffar per sida:

Numrering	Referens	Omslagsbild	Hitta
1.	Andiman, W, et al. (författare) The mode of delivery and the risk of vertical transmission of human immunodeficiency virus type 1--a meta-analysis of 15 prospective cohort studies 1999 Ingår i: The New England journal of medicine. - 0028-4793. ; 340:13, s. 977-987 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
2.	Qizilbash, N, et al. (författare) Cholesterol, diastolic blood pressure, and stroke: 13,000 strokes in 450,000 people in 45 prospective cohorts. Prospective studies collaboration 1995 Ingår i: Lancet (London, England). - 0140-6736. ; 346:8991-28991-8992, s. 1647-1653 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
3.	Ivanov, P A, et al. (författare) SiC surface engineering for high voltage JFET applications 1998 Ingår i: SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2. - 0878497900 ; , s. 1081-1084 Konferensbidrag (refereegranskat)
4.	Paskova, T., et al. (författare) 6H-SiC crystallinity behaviour upon B implantation studied by Raman scattering 1998 Ingår i: Silicon carbide, III-nitrides and related materials : ICSCIII-N'97. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0878497900 ; , s. 741-744 Konferensbidrag (refereegranskat)abstract In this study, B ion implantation was performed in n-type 6H-SiC single crystals at 500 degrees C. The implanted specimens were annealed at 1700 degrees C in SiH4 atmosphere. Lattice damage induced by implantation and its recovery was characterised by Raman scattering. Reduced damage compared with other ions implantation was observed. Recrystallization of the implanted material and absence of amorphous phases was detected after high temperature annealing.
5.	Valcheva, E, et al. (författare) B implantation in 6H-SiC : Lattice damage recovery and implant activation upon high-temperature annealing 1999 Ingår i: Journal of Vacuum Science & Technology B. - : American Vacuum Society. - 1071-1023 .- 1520-8567. ; 17:3, s. 1040-1044 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
6.	Valcheva, E, et al. (författare) Electrical activation of B implant in 6H-SiC 1998 Ingår i: SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2. - 0878497900 ; , s. 705-708 Konferensbidrag (refereegranskat)
7.	ABE, O, et al. (författare) EFFECTS OF RADIOTHERAPY AND SURGERY IN EARLY BREAST-CANCER - AN OVERVIEW OF THE RANDOMIZED TRIALS 1995 Ingår i: NEW ENGLAND JOURNAL OF MEDICINE. - 0028-4793. ; 333:22, s. 1444-1455 Tidskriftsartikel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
8.	Clarke, M, et al. (författare) Ovarian ablation in early breast cancer: overview of the randomised trials. Early Breast Cancer Trialists' Collaborative Group 1996 Ingår i: Lancet (London, England). - 0140-6736. ; 348:9036, s. 1189-1196 Tidskriftsartikel (refereegranskat)
9.	Danielsson, Erik, et al. (författare) Thermal stability of sputtered TiN as metal gate on 4H-SiC 1998 Ingår i: Materials Science Forum. - : Trans Tech Publications Inc.. - 0255-5476 .- 1662-9752. ; 264-268:PART 2, s. 805-808 Tidskriftsartikel (refereegranskat)abstract MOS-structures were made with TiN as metal gate on 4H-SiC. The thermal stability and electrical properties of this gate was determined by CV-measurements. Comparison with Al gates showed that TiN worked well as a gate metal on 4H-SiC. The hysteresis and density of the interface states were comparable for the two gate types. The n-type samples had low leakage and a flatband voltage of a few volts, while the p-type samples had high leakage and a fiatband voltage of around -20 V. The structure showed poor characteristics after a 700Â°C anneal for one hour, which is probably caused by the formation of titanium silicide. The TiN films had a lower content of nitrogen than expected, which could influence the stability.
10.	Konstantinov, A O, et al. (författare) High-voltage operation of field-effect transistors in silicon carbide 1997 Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 0741-3106 .- 1558-0563. ; 18:11, s. 521-522 Tidskriftsartikel (refereegranskat)

Skapa referenser, mejla, bekava och länka

Länka till träfflistan

Resultat 1-10 av 16

Avgränsa träffmängd

Typ av publikation: tidskriftsartikel (11); konferensbidrag (4); bokkapitel (1)

Typ av innehåll: refereegranskat (15); övrigt vetenskapligt/konstnärligt (1)

Författare/redaktör: Collins, R (3); Schumacher, M. (2); Brown, A. (2); Simon, R. (2); Jonat, W. (2); James, S. (2); visa fler...; Jackson, S. (2); Soderberg, M (2); Cross, M (2); Hill, C. (2); Nakamura, Y. (2); Martin, P. (2); Yoshida, M. (2); Abe, O (2); Abe, R (2); Enomoto, K (2); Kikuchi, K (2); Koyama, H (2); Nomura, Y (2); Uchino, J (2); Haybittle, JL (2); Davies, C (2); Harvey, VJ (2); Holdaway, TM (2); Kay, RG (2); Mason, BH (2); Forbes, JF (2); Jakesz, R (2); Yosef, HMA (2); Focan, C (2); Lobelle, JP (2); Peek, U (2); Oates, GD (2); Powell, J (2); Ragaz, J (2); Cirrincione, C (2); Norton, L (2); Weiss, RB (2); Baum, M (2); Cuzick, J (2); Houghton, J (2); Riley, D (2); Gordon, NH (2); Davis, HL (2); Naja, A (2); Dubois, JB (2); Delozier, T (2); Rambert, P (2); Andrysek, O (2); Barkmanova, J (2); visa färre...

Lärosäte: Kungliga Tekniska Högskolan (10); Karolinska Institutet (5); Lunds universitet (1)

Språk: Engelska (15); Svenska (1)

Forskningsämne (UKÄ/SCB): Teknik (6)

År

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
LIBRIS.kb.se

pil uppåt

Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy