SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Hirose Masahiro)
 

Sökning: WFRF:(Hirose Masahiro) > (2014) > State retention fli...

State retention flip flop architectures with different tradeoffs using crystalline indium gallium zinc oxide transistors implemented in a 32-bit normally-off microprocessor

Sjökvist, Niclas (författare)
Linköpings universitet,Institutionen för fysik, kemi och biologi,Tekniska högskolan,Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Atsugi, Kanagawa, Japan
Ohmaru, Takuro (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Isobe, Atsuo (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
visa fler...
Tsutsui, Naoaki (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Tamura, Hikaru (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Uesugi, Wataru (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Ishizu, Takahiko (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Onuki, Tatsuya (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Ohshima, Kazuaki (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Matsuzaki, Takanori (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Mimura, Hidetoshi (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Hirose, Atsushi (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Suzuki, Yasutaka (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Ieda, Yoshinori (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Atsumi, Tomoaki (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Shionoiri, Yutaka (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Kato, Kiyoshi (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Goto, Gensuke (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Koyama, Jun (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
Fujita, Masahiro (författare)
University of Tokyo, Japan
Yamazaki, Shunpei (författare)
Semicond Energy Lab Co Ltd, Japan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Japan Society of Applied Physics, 2014
2014
Engelska.
Ingår i: Japanese Journal of Applied Physics. - : Japan Society of Applied Physics. - 0021-4922 .- 1347-4065. ; 53:4, s. 04EE10-
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • As leakage power continues to increase when transistor sizes are downscaled, it becomes increasingly hard to achieve low power consumption in modern chips. Normally-off processors use state-retention and non-volatile circuits to make power gating more efficient with less static power. In this paper, we propose two novel state-retention flip-flop designs based on a parallel and series retention circuit architectures utilizing crystalline indium gallium zinc oxide transistors, which can achieve state retention with zero static power. To demonstrate the application of these different designs, they are implemented in a 32-bit normally-off microprocessor with an energy break-even time of 1.47 mu s for the parallel type design and 0.93 mu s for the series type design, at a clock frequency of 15 MHz. We show that decreasing the power supply duty cycle to 0.9%, the average current of the processor core can be decreased by over 99% using either type of flip-flop.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy